Toshiba發布有助於提高電源效率的600V超接合結構N溝道功率MOSFET

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)擴大了其採用最新一代製程製造的N溝道功率MOSFET產品線^[1]，該產品採用適合資料中心、開關電源和太陽光電發電機功率調節器的600V超接合結構。新產品TK055U60Z1是DTMOSVI系列中的首款600V產品，自即日起開始出貨。

透過最佳化閘極設計和製程，與具有相同漏源電壓額定值的Toshiba當前一代DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品單位面積漏源導通電阻降低約13%，MOSFET性能品質因數漏源導通電阻×閘漏電荷約降低52%，從而確保該系列同時實現低導通損耗和低開關損耗，有助於提高開關電源的效率。

新產品採用TOLL封裝，可實現其閘極驅動的信號源端子開爾文連接。封裝中源極線中電感的影響得以降低，從而增強MOSFET的高速開關性能，抑制開關期間的振盪。

Toshiba將繼續擴大其600V DTMOSVI系列產品陣容，及其已經發布的650V DTMOSVI系列產品，並透過降低開關電源的功率損耗來支持節能。

注：
[1] 截至2023年6月。

應用

• 資料中心（伺服器用開關電源等）
• 太陽光電發電機功率調節器
• 不斷電系統

特點

• 實現低漏源導通電阻×閘漏電荷，並實現高效率開關電源

主要規格
（除非另有說明，Ta=25°C）
零件編號				TK055U60Z1
絕對最大 額定值	漏源電壓VDSS (V)			600
	漏極電流(DC) ID (A)			40
	溝道溫度Tch (°C)			150
電氣特性	漏源導通電阻 RDS(ON) (mΩ)	VGS=10V	最大值	55
	總閘極電荷Qg (nC)		典型值	65
	閘極漏極電荷Qgd (nC)		典型值	15
	輸入電容Ciss (pF)		典型值	3680
封裝	名稱			TOLL
	尺寸(mm)		典型值	9.9×11.68, t=2.3
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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球的2.15萬名員工共同致力於最大限度提高公司產品價值，不斷強化與客戶的密切合作，攜手創造價值，合作開發新市場。在目前近8000億日圓（61億美元）年銷售額的基礎上，Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待為全人類創造更美好的未來並做出相關貢獻。
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