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TetraMem宣布22奈米多位元RRAM類比記憶體運算SoC取得產品研發里程碑
加州聖荷西--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 總部位於矽谷、致力於研發類比記憶體運算(IMC)解決方案的半導體公司TetraMem Inc.今日宣布,旗下以22奈米多位元阻變記憶體(RRAM)為基礎打造的類比IMC系統級晶片(SoC)平台MLX200已成功完成投片、生產以及初始矽晶驗證。 此次成果代表憑藉新型非易失性儲存技術打造的類比運算架構向商業化落地邁出重要一步,能夠因應現在AI系統日益嚴峻的資料傳輸、功耗和散熱受限等挑戰。 隨著AI工作負載規模持續擴大,系統效能日益受到記憶體和運算單元之間資料傳輸成本的制約。類比記憶體運算採用一種截然不同的方法,直接在儲存陣列內部執行運算,大幅減少資料傳輸行為,並提升了系統級效率。TetraMem的MLX200平台將多位元RRAM陣列與類比運算引擎融為一體,使儲存內部能夠完成高輸送量向量矩陣運算,同時保持與先進互補金屬氧化物半導體(CMOS)製程的相容性。 憑藉TSMC 22奈米CMOS製程實現量產應用的多位元RRAM技術,具備實際部署所需的關鍵特性,包括可相容CMOS製程且額外製程複雜度極低、低電壓低電流工作模式、出色的...
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TetraMem anuncia un hito tecnológico con un SoC de computación analógica en memoria con RRAM multinivel de 22 nm
SAN JOSÉ, California--(BUSINESS WIRE)--TetraMem Inc., una empresa de semiconductores con sede en Silicon Valley especializada en el desarrollo de soluciones de computación analógica en memoria (IMC, por sus siglas en inglés), anuncia que ha finalizado con éxito el diseño, la fabricación y la validación inicial del silicio de su plataforma MLX200, un sistema en chip (SoC) de IMC analógica basado en memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM, por sus siglas en inglés) multinivel de 22 nm. Este l...
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Riassunto: TetraMem annuncia un risultato importante: il SoC per l'elaborazione analogica in memoria con RRAM multilivello da 22nm
SAN JOSE, California--(BUSINESS WIRE)--TetraMem Inc., produttore di semiconduttori con sede nella Silicon Valley specializzato nello sviluppo di soluzioni per l'elaborazione analogica in memoria (IMC), oggi ha annunciato la riuscita delle fasi di tape-out, produzione e validazione iniziale del silicio per la sua piattaforma MLX200, un sistema su chip (SoC) IMC analogico con RRAM multilivello da 22nm. Questo risultato costituisce un passo importante verso la commercializzazione di architetture p...
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Samenvatting: TetraMem kondigt zijn mijlpaal 22nm multi-level RRAM analoge in-memory computing SoC aan
SAN JOSE, Calif.--(BUSINESS WIRE)--TetraMem Inc., een fabrikant van halfgeleiders gevestigd in Silicon Valley die analoge IMC-oplossingen (in-memory computing) ontwikkeld, kondigde vandaag de succesvolle tape-out, productie en initiële siliconevalidering aan van zijn MLX200-platform, een 22nm multi-level op RRAM gebaseerde analoge IMC SoC (system-on-chip). Deze verwezenlijking markeert een belangrijke stap in de richting van commercialisering van analoge computingarchitecturen gebaseerd op opko...
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TetraMem anuncia marco importante para SoC de computação analógica em memória RRAM multinível de 22 nm
SAN JOSÉ, Califórnia--(BUSINESS WIRE)--A TetraMem Inc., empresa de semicondutores do Vale do Silício que desenvolve soluções de computação analógica em memória (IMC), anunciou hoje a conclusão bem-sucedida da fabricação (tape-out), produção e validação inicial em silício de sua plataforma MLX200, um sistema em chip (SoC) IMC analógico baseado em RRAM multinível de 22 nm. Essa conquista representa um passo significativo rumo à comercialização de arquiteturas de computação analógica baseadas em t...
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TetraMem gibt Meilenstein bei 22-nm-Multi-Level-RRAM-SoC für analoges In-Memory-Computing bekannt
SAN JOSE, Kalifornien--(BUSINESS WIRE)--TetraMem Inc., ein im Silicon Valley ansässiges Halbleiterunternehmen, das Lösungen für analoges In-Memory-Computing (IMC) entwickelt, gab heute den erfolgreichen Tape-out, die Fertigung und die erste Siliziumvalidierung seiner MLX200-Plattform bekannt, einem auf 22-nm-Multi-Level-RRAM basierenden analogen IMC-System-on-Chip (SoC). Dieser Erfolg markiert einen bedeutenden Schritt in Richtung der Kommerzialisierung analoger Rechenarchitekturen, die auf neu...
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TetraMem、22nmマルチレベルRRAM搭載アナログ・インメモリ・コンピューティングSoCの開発におけるマイルストーン達成を発表
カリフォルニア州サンノゼ--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- アナログ・インメモリ・コンピューティング(IMC)ソリューションを開発するシリコンバレーの半導体企業であるTetraMem Inc.は、22nmマルチレベルRRAMベースのアナログIMCシステムオンチップ(SoC)である「MLX200」プラットフォームのテープアウト、製造、および初期シリコン検証に成功したことを発表しました。 今回の成果は、新しい不揮発性メモリ技術に基づくアナログ演算アーキテクチャの商用化に向けた重要な一歩であり、現代のAIシステムにおいて増大するデータ移動、消費電力、および熱的制約といった課題の解決に貢献するものです。 AIワークロードの規模が拡大を続けるなか、システム性能は、メモリとコンピュートユニット間のデータ移動にかかるコストによってますます制約を受けるようになっています。アナログ・インメモリ・コンピューティングは、メモリアレイ内で直接演算を実行するという根本的に異なるアプローチを採用しており、これによりデータ移動を大幅に削減し、システムレベルの効率を向上させます。Tetr...
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TetraMem annonce une étape majeure avec le développement d’un SoC de calcul en mémoire analogique basé sur une RRAM multiniveaux de 22 nm
SAN JOSE, Californie--(BUSINESS WIRE)--TetraMem Inc., une société de semiconducteurs basée dans la Silicon Valley qui développe des solutions de calcul en mémoire (IMC) analogique, annonce aujourd'hui le succès du tape-out, de la fabrication et de la validation initiale en silicium de sa plateforme MLX200, un système sur puce (SoC) IMC analogique basé sur une RRAM multiniveaux de 22 nm. Cette réalisation marque une étape importante vers la commercialisation d'architectures informatiques analogi...
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TetraMem宣布22纳米多比特RRAM模拟内存计算SoC取得产品研发里程碑
加州圣何塞--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 总部位于硅谷、致力于研发模拟内存计算(IMC)解决方案的半导体公司TetraMem Inc.今日宣布,旗下基于22纳米多比特阻变存储器(RRAM)打造的模拟IMC系统级芯片(SoC)平台MLX200已成功完成流片、生产以及初步硅片实测验证。 此次成果标志着依托新型非易失性存储技术打造的模拟计算架构向商业化落地迈出重要一步,能够应对现在AI系统日益凸显的数据传输、功耗和散热受限等挑战。 随着AI工作负载规模持续扩大,系统性能日益受到内存和计算单元之间数据传输成本的制约。模拟内存计算采用一种截然不同的方法,直接在存储阵列内部执行计算,大幅减少数据传输行为,并提升了系统级效率。TetraMem的MLX200平台将多比特RRAM阵列与模拟计算引擎融为一体,使存储内部能够完成高吞吐量向量矩阵运算,同时保持与先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的兼容性。 依托TSMC 22纳米CMOS工艺实现量产应用的多比特RRAM技术,具备实际部署所需的关键特性,包括可兼容CMOS工艺且额外工艺复杂度极低、低电压低电流工作模式、出色的数据...
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TetraMem Announces 22nm Multi-Level RRAM Analog In-Memory Computing SoC Milestone
SAN JOSE, Calif.--(BUSINESS WIRE)--TetraMem Inc., a Silicon Valley–based semiconductor company developing analog in-memory computing (IMC) solutions, today announced the successful tape-out, manufacturing, and initial silicon validation of its MLX200 platform, a 22nm multi-level RRAM-based analog IMC system-on-chip (SoC). The achievement marks a significant step toward the commercialization of analog computing architectures based on emerging non-volatile memory technologies, addressing the grow...