Toshiba发布有助于提高电源效率的600V超级结结构N沟道功率MOSFET

Toshiba:DTMOSVI系列的600V N沟道功率MOSFET TK055U60Z1。(图示:美国商业资讯)

日本川崎--()--(美国商业资讯)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)扩大了其采用最新一代工艺制造的N沟道功率MOSFET产品线[1],该产品采用适合数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器的600V超级结结构。新产品“TK055U60Z1”是DTMOSVI系列中的首款600V产品,自即日起开始发货。

通过优化栅极设计和工艺,与具有相同漏源电压额定值的Toshiba当前一代DTMOSIV-H系列产品相比,600V DTMOSVI系列产品单位面积漏源导通电阻降低约13%,MOSFET性能品质因数漏源导通电阻×栅漏电荷约降低52%,从而确保该系列同时实现低导通损耗和低开关损耗,有助于提高开关电源的效率。

新产品采用TOLL封装,可实现其栅极驱动的信号源端子开尔文连接。封装中源极线中电感的影响得以降低,从而增强MOSFET的高速开关性能,抑制开关期间的振荡。

Toshiba将继续扩大其600V DTMOSVI系列产品阵容,及其已经发布的650V DTMOSVI系列产品,并通过降低开关电源的功率损耗来支持节能。

注:
[1] 截至2023年6月。

应用

  • 数据中心(服务器用开关电源等)
  • 光伏发电机功率调节器
  • 不间断电源系统

特点

  • 实现低漏源导通电阻×栅漏电荷,并实现高效率开关电源

主要规格

(如无其他规定,Ta=25°C)

部件号

TK055U60Z1

绝对最大

额定值

漏源电压VDSS (V)

600

漏极电流(DC) ID (A)

40

沟道温度Tch (°C)

150

电气特性

漏源导通电阻

RDS(ON) (mΩ)

VGS=10V

最大

55

总栅极电荷Qg (nC)

典型

65

栅极漏极电荷Qgd (nC)

典型

15

输入电容Ciss (pF)

典型

3680

封装

名称

TOLL

尺寸(mm)

典型

9.9×11.68,

t=2.3

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