日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)扩大了其采用最新一代工艺制造的N沟道功率MOSFET产品线[1]，该产品采用适合数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器的600V超级结结构。新产品“TK055U60Z1”是DTMOSVI系列中的首款600V产品，自即日起开始发货。
通过优化栅极设计和工艺，与具有相同漏源电压额定值的Toshiba当前一代DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品单位面积漏源导通电阻降低约13%，MOSFET性能品质因数漏源导通电阻×栅漏电荷约降低52%，从而确保该系列同时实现低导通损耗和低开关损耗，有助于提高开关电源的效率。
新产品采用TOLL封装，可实现其栅极驱动的信号源端子开尔文连接。封装中源极线中电感的影响得以降低，从而增强MOSFET的高速开关性能，抑制开关期间的振荡。
Toshiba将继续扩大其600V DTMOSVI系列产品阵容，及其已经发布的650V DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来支持节能。
注：
[1] 截至2023年6月。
应用
- 数据中心（服务器用开关电源等）
- 光伏发电机功率调节器
- 不间断电源系统
特点
- 实现低漏源导通电阻×栅漏电荷，并实现高效率开关电源
主要规格 |
||||
（如无其他规定，Ta=25°C） |
||||
部件号 |
||||
绝对最大 额定值 |
漏源电压VDSS (V) |
600 |
||
漏极电流(DC) ID (A) |
40 |
|||
沟道温度Tch (°C) |
150 |
|||
电气特性 |
漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ) |
VGS=10V |
最大 |
55 |
总栅极电荷Qg (nC) |
典型 |
65 |
||
栅极漏极电荷Qgd (nC) |
典型 |
15 |
||
输入电容Ciss (pF) |
典型 |
3680 |
||
封装 |
名称 |
TOLL |
||
尺寸(mm) |
典型 |
9.9×11.68, t=2.3 |
||
样品检查和供应情况 |
||||
点击以下链接了解有关新产品的更多信息。
TK055U60Z1
点击下面的链接，了解有关Toshiba MOSFET的更多信息。
MOSFET
如需查看在线经销商的新产品供应情况，请访问：
TK055U60Z1
在线购买
* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
* 本文档中的信息，包括产品价格和规格、服务内容和联系信息，在发布之日为最新信息。如有更改，恕不另行通知。
关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD产品。
公司在全球的2.15万名员工共同致力于最大限度提高公司产品价值，不断强化与客户的密切合作，携手创造价值，合作开发新市场。在目前近8000亿日元（61亿美元）年销售额的基础，Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待为全人类创造更美好的未来并做出相关贡献。
如需了解更多信息，请访问：https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
