Toshiba breidt productiecapaciteit voor halfgeleiders uit met een productiefaciliteit van 300 millimeter voor wafers

– Fase 1 Productie zal de productiecapaciteit 2,5 keer verhogen –

KAWASAKI, Japan--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) heeft vandaag aangekondigd dat het een nieuwe 300-millimeter wafer fabricage faciliteit voor vermogenshalfgeleiders zal bouwen in zijn belangrijkste productiebasis voor discrete halfgeleiders, Kaga Toshiba Electronics Corporation, in de prefectuur Ishikawa. De bouw zal in twee fasen plaatsvinden, waardoor het investeringstempo kan worden geoptimaliseerd tegen markttendensen, waarbij de start van de productie van fase 1 gepland is voor fiscaal 2024. Wanneer fase 1 de volledige capaciteit bereikt, zal Toshiba’s productiecapaciteit voor halfgeleiders 2,5 keer zo hoog zijn als die van fiscaal 2021.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.