Toshiba voltooit nieuwe faciliteit voor de productie van 300-millimeter wafers voor halfgeleiders

KAWASAKI, Japan--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) hield vandaag een ceremonie om de voltooiing te vieren van een nieuwe faciliteit voor de productie van 300-millimeter wafers voor halfgeleiders en een kantoorgebouw bij Kaga Toshiba Electronics Corporation in Ishikawa Prefecture, Japan, een van de belangrijkste bedrijven van de groep Toshiba. De voltooiing van de bouw is een belangrijke mijlpaal voor Fase 1 van Toshiba’s meerjarige investeringsprogramma. Toshiba zal nu verder de apparatuur installeren, om dan in de tweede helft van het boekjaar 2024 met de massaproductie te starten. Wanneer Fase 1 volledig operationeel is, zal Toshiba’s productiecapaciteit voor halfgeleiders, in hoofdzaak MOSFET's ^[1] en IGBT's ^[2], 2,5 keer groter zijn dan de capaciteit van boekjaar 2021, toen het investeringsplan werd opgesteld ^[3].

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.