TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, leader mondiale nel settore delle soluzioni di memoria, ha annunciato oggi lo sviluppo di OCTRAM (il transistor a canale a ossido-semiconduttore DRAM), un nuovo tipo di DRAM 4F2, costituito da un transistor a ossido-semiconduttore che presenta contemporaneamente un'elevata corrente di accensione e una bassissima corrente di spegnimento. Si prevede che tale tecnologia dovrebbe realizzare una DRAM a basso consumo sfruttando le proprietà di bassissima dispersione del transistor InGaZnO. L'annuncio è stato dato per la prima volta in occasione dell'IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), tenutosi a San Francisco, CA, il 9 dicembre 2024. Questo risultato è stato ottenuto congiuntamente da Nanya Technology e Kioxia Corporation.
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