-

Toshiba推出可重複使用的電子保險絲eFuse IC新系列

- 推出小型高壓「TCKE9系列」 -

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)推出了由八款小型高壓電子保險絲(eFuse IC)組成的TCKE9系列,支援多重電源線保護功能。前兩款產品「TCKE903NL」和「TCKE905ANA」即日起開始出貨,其他產品將陸續跟進。

TCKE9系列產品具有電流限制和電壓箝位功能,可保護電源電路中的線路免受過電流和過電壓情況的影響,這是標準實體保險絲無法做到的。即使在異常過電流或過電壓的情況下,仍能保持額定的電流和電壓。

新產品還具有溫度過高保護和短路保護功能,當電路中產生異常熱量或發生意外短路時,eFuse IC會立即關閉,從而保護電路。eFuse IC的另一個優勢是消除了複雜的電路設計並減少了元件數量,相較使用分立元件的保護功能,實現了大幅簡化的電路設計以及更少的元件和更小的面積。

Toshiba計畫為eFuse IC獲得IEC 62368-1認證,這是針對高等級安全性的國際安全標準,還將簡化客戶裝置需要接受的認證測試。

該產品陣容提供八款產品:四款(3.3V、5V、12V、20V)適用於各種電源電壓的過電壓保護,而每款產品都有兩種類型:自動重試型(eFuse IC自動恢復電路本身)和閉鎖器型(由外部訊號觸發恢復)。客戶可以根據自己的要求和裝置尺寸選擇合適的產品。

eFuse IC應用電路(帶熱關斷功能)以及eFuse IC應用電路(帶增強型過電流保護功能)的參考設計現已在Toshiba網站上提供。

應用

  • 電源電路(伺服器、固態硬碟、筆記型電腦、遊戲機、擴增實境和虛擬實境裝置等)的保護

特性

  • 最大輸入電壓:VIN(最大值)=25.0 V
  • 低導通電阻:Ron=34mΩ(典型值)
  • 高輸出電流額定值:IOUT = 0至4.0A
  • 輸入過電壓箝位功能(4種)
  • 過電流限制精確度:ILIM精確度 =-17%/+14%(Ta=-40至125°C,R ILIM=487Ω)
  • 輸出-短路反應時間:tSHORT = 2μs(典型值)
  • FLAG功能
  • 輕薄精簡的WSON8封裝:2.0×2.0mm(典型值),t=0.8mm(最大值)

主要規格

(除非另有說明,否則Ta =25°C)

零件編號

工作範圍

電氣特性

恢復操作類型

其他特性

庫存查詢和購買

輸入電壓

VIN

(V)

工作結溫

Tj_opr

(°C)

輸出電流

IOUT

(A)

過電流限制精確度

ILIM精確度

(%)

過電壓鉗位

VOVC

(V)

短路回應時間

tSHORT

(μs)

電流限制回應時間

tLIM

(μs)

最小值/最大值

典型值

典型值

典型值

TCKE903NL

2.7至23.0

-40至125

0至4.0

-17/+14 [2]

3.87

2.0

80

閉鎖

FLAG功能

線上購買

TCKE903NA [1]

自動重試

-

TCKE905NL [1]

5.7

閉鎖

-

TCKE905ANA

自動重試

線上購買

TCKE912NL [1]

13.7

閉鎖

-

TCKE912NA [1]

自動重試

-

TCKE920NL [1]

22.2

閉鎖

-

TCKE920NA [1]

自動重試

-

注:
[1] 開發中
[2] Ta=-40至125°C,RILIM=487Ω

請點選以下連結,瞭解有關新產品的更多資訊。
TCKE903NL
TCKE903NA
TCKE905NL
TCKE905ANA
TCKE912NL
TCKE912NA
TCKE920NL
TCKE920NA

請點選以下連結,瞭解有關Toshiba eFuse IC的更多資訊。
eFuse IC

如欲查看線上經銷商的新產品供應情況,請造訪:
TCKE903NL
線上購買

TCKE905ANA
線上購買

* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
* 本文件中的資訊(包括產品價格和規格、服務內容和聯絡方式)為公告發布之日的最新資訊,但如有更改,恕不另行通知。

關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和存儲解決方案的領先供應商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。

公司在全球的19,400名員工致力於充分提高產品價值,並促進與客戶的密切合作,共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。

如欲瞭解有關TDSC的更多資訊,請造訪 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客戶查詢:
功率與小訊號元件銷售與行銷二部
電話:+81-44-548-2215
聯絡我們

媒體查詢:
Chiaki Nagasawa
數位行銷部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客戶查詢:
功率與小訊號元件銷售與行銷二部
電話:+81-44-548-2215
聯絡我們

媒體查詢:
Chiaki Nagasawa
數位行銷部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出最高工作溫度達125°C的工業設備用四通道高速標準數位隔離器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了DCL54xx01A系列工業設備用四通道高速標準數位隔離器,進一步擴充其數位隔離器產品陣容。該系列包含10款新產品,均採用SOIC16-W封裝,最高工作溫度可達125°C。批量出貨自即日起開始。 碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)功率元件的廣泛應用,使得設計可在高溫條件下運行的工業設備成為可能。然而,在隔離訊號傳輸中,輸入和輸出之間的電磁雜訊可能會導致故障,這使得市場對能實現穩定控制訊號傳輸、同時兼具高抗噪性與高可靠性的隔離元件的需求與日俱增。 Toshiba新型數位隔離器支援高達125°C的最高工作溫度。歸功於公司專有的磁耦合隔離傳輸技術[1],該系列產品還實現了高達150kV/μs(典型值)[2]的高共模暫態耐受性(CMTI),從而協助設備穩定運行。 新產品提供多種通道設定:4個正向通道和0個反向通道;3個正向通道和1個反向通道;以及2個正向通道和2個反向通道。這種靈活性使其能夠廣泛...

Toshiba開始出貨TXZ+™系列入門級M4H組標準微控制器工程樣品,搭載用於系統控制應用的Arm® Cortex®-M4內核

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)宣布推出TXZ+™系列入門級M4H組標準微控制器[1],這些微控制器搭載帶有浮點運算器(FPU)的Arm® Cortex®-M4內核。全新微控制器專為消費產品(如冷氣機、洗衣機)以及工業設備(包括多功能事務機、工廠自動化系統)的小型系統控制應用而設計。Toshiba目前已開始提供這些新產品的工程樣品。 隨著現代消費產品和工業設備變得日益先進和多樣化,用於系統控制的微控制器必須具備更強的即時處理能力與穩定性,支援簡便的設計流程,提供長期運行所需的通用性,並具備足夠的靈活性以支援衍生產品的開發。Toshiba已透過開發專為系統控制應用而設計的TXZ+™系列入門級M4H組微控制器來因應這些挑戰,尤其注重其通用性。 這些全新微控制器被設計為入門級產品,可提供一系列基本功能。它們採用帶有FPU的Arm® Cortex®-M4內核,最高工作頻率達120MHz——這正是消費產品和工業設備所需的運算效能與回應...

提升次世代 AI 資料中心效率 Toshiba 開始出貨 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 測試樣品

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱 Toshiba)今日開始出貨「TW007D120E」測試樣品,此 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 主要用於次世代 AI 資料中心的電源供應系統,亦適用於再生能源相關設備。 隨著生成式 AI 快速擴張,耗電量遽增已成為資料中心迫在眉睫的課題。尤其是高功率 AI 伺服器的廣泛採用,以及 800 V 高壓直流 (HVDC) 架構部署日益增加,正全面推升市場對高電源轉換效率與高功率密度電源供應系統的需求。Toshiba 研發出 TW007D120E 以因應次世代 AI 資料中心需求,將有助於降低耗電量,並推動電源供應系統實現小型化與高效化。 TW007D120E 採用 Toshiba 獨家溝槽式閘極結構 [1],達到業界領先 [2] 的低單位面積導通電阻 (RDS (on)) A);透過更低的導通電阻減少導通損耗,同時降低切換損耗。與 Toshiba 現有產品相比,TW007D120E 的 RDS...
Back to Newsroom