東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.（總部：東京；社長：Yasuhiko Saitoh）已確定QST® (Qromis Substrate Technology)基板*1是實現高效能且高效節能的GaN（氮化鎵）功率器件之社會化應用的必備材料，該公司將推動這些產品的開發和上市。
由於QST®基板設計為具有與GaN相同的熱膨脹係數(CTE)，因此可以抑制GaN外延層的翹曲和裂紋，從而實現大直徑、高品質的厚GaN外延生長。利用這些特性，該產品有望應用於近年來快速增長的功率器件和射頻器件（5G及超5G），以及MicroLED顯示器的MicroLED增長等領域。
除了銷售QST®基板外，Shin-Etsu Chemical還將根據客戶要求銷售GaN生長QST®基板。我們目前擁有6吋和8吋直徑的基板產品系列，並且正在開發12吋直徑基板。自2021年以來，針對功率器件、射頻器件和LED的各種應用，我們正與日本和全球眾多客戶合作進行樣品評估和器件開發。特別是對於功率器件，正在對寬電壓範圍（650V至1800V）的器件進行持續評估。
迄今為止，Shin-Etsu Chemical對其QST®基板已多次進行了多項改進。其中一個例子是顯著改進了源自鍵合工藝的缺陷問題，從而實現了高品質QST®基板的供應。此外，針對眾多客戶要求加厚的GaN薄膜，我們還推動了提供具有優化緩衝層的範本基板，使客戶能夠實現厚度超過10μm的薄膜的穩定外延生長。另外，我們還取得了各種成功的結果並進行了報告，包括使用QST®基板實現超過20μm的厚膜GaN生長，以及在功率器件中實現了1800V的擊穿電壓*2。
此外，Shin-Etsu Chemical和Oki Electric Industry Co., Ltd.還共同成功開發了一項技術，可從QST®基板上剝離GaN，並使用晶膜鍵合(CFB)*3技術將其鍵合到不同材料製成的基板上。到目前為止，大多數GaN功率器件都是橫向器件，但CFB技術利用QST®基板的特性，通過從絕緣QST®基板剝離一層厚厚的高品質氮化鎵，實現了可控制大電流的垂直功率器件。對於製造GaN器件的客戶，Shin-Etsu Chemical將提供QST®基板或GaN生長QST®基板，Oki Electric Industry將通過合作或授權許可的方式提供其CFB技術。這兩家公司希望透過這種方式，為促進垂直功率器件的發展做出貢獻。
基於這些發展成果，並根據客戶提出的業務情況諮詢，Shin-Etsu Chemical將繼續增加產量，以滿足客戶需求。
Shin-Etsu Chemical將進一步推動未來社會絕對不可或缺的GaN器件實現社會化應用，為實現高效利用能源的永續發展社會做出貢獻。
Shin-Etsu Chemical將在SEMICON Taiwan展會上展示該產品的開發進展，該展會將於2023年9月6日至8日在中國台灣舉行。
*1：QST®基板由Qromis, Inc.（總部：加利福尼亞州聖克拉拉；首席執行官：Cem Basceri）開發的複合材料基板，專用於GaN生長，並於2019年授權給Shin-Etsu Chemical。QST®是Qromis, Inc.在美國持有的注冊商標（註冊號為5277631）。
*2：請參閱以下的imec新聞稿（2021年4月）。
https://www.imec-int.com/en/press/imec-and-aixtron-demonstrate-200-mm-gan-epitaxy-aix-g5-c-1200v-applications-breakdown-excess
*3：CFB技術是一種從基板上剝離GaN外延層的技術，是Oki Electric Industry的注冊商標。
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