-

Mitarbeiter von Kioxia erhalten Auszeichnung für Wissenschaft und Technologie vom japanischen Ministerium für Bildung, Kultur, Sport, Wissenschaft und Technologie

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, weltweit führend bei Speicherlösungen, meldete heute, dass ihren Mitarbeitern die Auszeichnung für Wissenschaft und Technologie von The Commendation for Science and Technology des Ministeriums für Bildung, Kultur, Sport, Wissenschaft und Technologie für die Erfindung eines dreidimensionalen Flash-Speichers mit hoher Dichte und der entsprechenden Herstellungsmethode, mit der die Speicherkapazität erheblich erhöht und die Herstellungskosten gesenkt werden können, verliehen wurde.

Die Auszeichnung des Ministeriums für Bildung, Kultur, Sport, Wissenschaft und Technologie wird alljährlich an Personen verliehen, die Spitzenleistungen in Forschung und Entwicklung erbracht und das Verständnis für Wissenschaft und Technologie in Japan gefördert haben.

Im Folgenden sind die Preisträger von Kioxia aufgeführt:

  • Ryota Katsumata, Assistant to General Manager, Advanced Memory Development Center, Memory Division
  • Masaru Kito, Group Manager, Advanced Memory Development Center, Memory Division
  • Hideaki Aochi, Senior Expert, Device Technology Research & Development Center, Institute of Memory Technology Research and Development
  • Masaru Kido, Chief Specialist, Memory Development Strategy Division
  • Hiroyasu Tanaka, Chief Specialist, Memory Development Strategy Division

Überblick über die ausgezeichnete Technologie

Flash-Speicher werden in verschiedenen Anwendungen für das Speichern von Daten wie etwa in Smartphones und Rechenzentren verwendet und es wird mit einer steigenden Nachfrage gerechnet.

Die preisgekrönte dreidimensionale Flash-Speichertechnologie ist ein bahnbrechender Ansatz, der den Herstellungsprozess für das vertikale Stapeln von Speicherzellen zur Realisierung von 3D-Flash-Speichern hoher Dichte stark vereinfacht hat. Während herkömmliches Stapeln wiederholte Abscheidungs- und Strukturierungsprozesse für die Herstellung von Speicherzellenarrays erforderte, werden bei dieser Technologie zunächst die Materialien für die Speicherzellen gestapelt und dann jede Zelle gleichzeitig in einem einmaligen Strukturierungsprozess hergestellt. Damit werden die Verarbeitungsschritte erheblich reduziert. Da die bei herkömmlichen zweidimensionalen Flash-Speichern eingesetzte Miniaturisierungstechnologie an ihre physikalischen Grenzen stößt, wird bei den marktführenden Produkten inzwischen vermehrt die dreidimensionale Flash-Speichertechnologie mit hoher Kapazität und Leistung verwendet. Nach der Kommerzialisierung des dreidimensionalen Flash-Speichers BiCS FLASH™ im Jahr 2015 hat Kioxia die Stapeldichte weiter erhöht. Letzten Monat hat Kioxia seinen aus 218 Schichten bestehenden dreidimensionalen Flash-Speicher BiCS FLASH™ mit hoher Kapazität und Leistung angekündigt.

Überdies wurde diese dreidimensionale Flash-Speichertechnologie mit dem Imperial Invention Prize der National Commendation for Invention 2020 und dem IEEE Andrew S. Grove Award 2021 ausgezeichnet.

Geleitet von der Mission, „die Welt mit Speicherlösungen zu verbessern“ („Uplifting the World with ‚Memory‘“), engagiert sich Kioxia in der Forschung und Technologieentwicklung, die Menschen auf der ganzen Welt einen Mehrwert verschafft.

Über Kioxia

Kioxia ist ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, der sich auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Flash-Speichern und Solid-State-Drives (SSD) spezialisiert hat. Im April 2017 wurde der Vorgänger Toshiba Memory aus der Toshiba Corporation ausgegliedert, der Firma, die 1987 den NAND-Flash-Speicher erfunden hatte. Kioxia hat es sich zur Aufgabe gemacht, die Welt mithilfe von Speicherprodukten zu bereichern, indem das Unternehmen Produkte, Dienstleistungen und Systeme anbietet, die eine Auswahl für die Kunden und einen speicherbasierten Nutzen für die Gesellschaft schaffen. Die innovative 3D-Flash-Speichertechnologie von Kioxia, BiCS FLASH™, prägt die Zukunft der Datenspeicherung in Anwendungen mit hoher Speicherdichte, darunter fortschrittliche Smartphones, PCs, SSD, Automobile und Rechenzentren.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Contacts

Kota Yamaji
Public Relations
Kioxia Holdings Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Kioxia Corporation



Contacts

Kota Yamaji
Public Relations
Kioxia Holdings Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

Kioxia wird zum Clarivate Top 100 Global Innovators 2025 ernannt

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation wurde zum Clarivate Top 100 Global Innovators 2025 ernannt. Dies ist eine Auszeichnung, die Clarivate Plc an innovative Unternehmen vergibt. Kioxia erhält diesen Titel nun zum vierten Mal für seine Leistungen im Bereich geistiges Eigentum. Die Grundlage der Clarivate Top 100 Global Innovators 2025 Awards ist Clarivate's Analyse der Trends in den Bereichen geistiges Eigentum und Patente. Die zugrundeliegende Methodologie nutzt ein Modell, das Innovation...

Kioxia und Sandisk stellen die nächste Generation der 3D-Flash-Speichertechnologie vor, die eine NAND-Schnittstellengeschwindigkeit von 4,8 Gb/s erreicht

SAN FRANCISCO--(BUSINESS WIRE)--Die Kioxia Corporation und die Sandisk Corporation haben mit ihrer hochmodernen 3D-Flash-Speichertechnologie Pionierarbeit geleistet und mit einer NAND-Schnittstellengeschwindigkeit von 4,8 Gb/s, einer überragenden Energieeffizienz und einer erhöhten Dichte einen neuen Maßstab in der Branche gesetzt. Die neue auf der ISSCC 2025 vorgestellte 3D-Flash-Speicherinnovation, zusammen mit der revolutionären CBA-Technologie (CMOS directly Bonded to Array)1 der Unternehme...

Kioxia entwickelt OCTRAM-Technologie (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Die Kioxia Corporation, ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, gab heute die Entwicklung von OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM) bekannt, einem neuen Typ von 4F2 -DRAM, der aus einem Oxid-Halbleiter-Transistor besteht, der gleichzeitig einen hohen EIN-Strom und einen extrem niedrigen AUS-Strom aufweist. Diese Technologie soll einen DRAM mit niedrigem Stromverbrauch realisieren, indem sie die extrem geringe Leckage-Eigenschaft des InGaZnO*1...
Back to Newsroom