加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商。该公司今天宣布，作为2023年应用电力电子会议(APEC 2023)的银牌合作伙伴，将在大会上展示多种产品和解决方案，以彰显公司在广谱（低功率到高功率）GaN电源转换方面的持续领导地位。欢迎与会者在3月19日至23日大会期间参观853号Transphorm展位。
今年，Transphorm将展示最近发布的WT7162RHUG24A器件。该器件采用Transphorm与伟诠电子(Weltrend Semiconductor)合作开发的新型SuperGaN®系统级封装(SiP)，旨在完善其全面、灵活的场效应晶体管(FET)产品组合。该器件将为客户创造新机会，让客户能够在Transphorm的高性能GaN平台上轻松、快速地进行设计，同时减少物料清单(BOM)元件数量和总体系统成本。
Transphorm还将展示来自不同市场的全球顶级品牌客户的新型在产产品。APEC与会者还将了解到现有GaN电源应用的嵌入式和替换式解决方案。最后，公司将以抽奖方式赠送出一款消费产品。在Transphorm的GaN技术的加持下，该产品具有颠覆式的性能。
单核心平台，涵盖全部电源功率范围
Transphorm是一家领先的GaN功率半导体公司，凭借以下技术特性而拥有竞争优势：
可制造性：垂直一体化，拥有EPI设计、晶圆制造工艺和FET芯片设计能力。
可设计性：提供广泛采用的行业标准封装和性能封装，同时与全球知名的固件领导者（微芯科技(Microchip Technology)）和硬件集成领导者（伟诠电子）合作，简化了设计。
可驱动性：旗下器件的驱动方式与硅器件相同，可与现成的控制器和驱动器搭配使用，同时仅需少量外部电路。
可靠性：在覆盖低功率到高功率的所有应用中，经超过1000亿小时的现场运行后，当前的失效率(FIT) < 0.05，处于行业领先地位。
Transphorm现支持范围极广的电源转换要求（45 W至10+ kW），涵盖极为广泛的电源应用。公司的FET产品组合包括650 V和900 V器件，以及正在开发的1200 V器件。这些器件均通过JEDEC和AEC-Q101认证，是适用于电源适配器、计算机电源设备(PSU)、广泛的工业不间断电源(UPS)和电动汽车移动系统等的一流解决方案。这些将在APEC会议上展示的客户产品组合彰显出Transphorm的SuperGaN平台具有广泛的实用性。
赠品：“小而强”的65W惠普USB-C笔记本充电器
Transphorm展位参观者将有机会赢得一个“小而强”的基于GaN的惠普USB-C PD/PPS电源适配器。该适配器配备了两个端口，可同时进行快速充电。惠普笔记本电脑充电器使用了Transphorm的SuperGaN第四代TP65H300G4LSG——650V GaN FET。
演讲活动
Transphorm专家将发表以下演讲：
面向电动车应用的650 V和1200 V高功率GaN器件
行业专题会议(IS03)，3月21日上午8:30
演讲嘉宾：首席技术官办公室技术组成员Davide Bisi
900 V GaN – 为可靠性而生
行业专题会议(IS12)，3月22日上午9:20
演讲嘉宾：工程副总裁Likun Shen博士
欢迎参观我们的展位
如需在展会期间安排与Transphorm会面，请联系我们：vipin.bothra@transphormusa.com。
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。
SuperGaN标识是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标是其各自所有者的财产。
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