Inpria ontwikkelt samen met SK hynix metaaloxide-resist om de complexiteit van patronen te verminderen voor DRAM van de volgende generatie
Inpria ontwikkelt samen met SK hynix metaaloxide-resist om de complexiteit van patronen te verminderen voor DRAM van de volgende generatie
TOKIO--(BUSINESS WIRE)--JSR Corporation heeft vandaag de versnelling aangekondigd van haar gezamenlijke ontwikkeling met SK hynix Inc. om Inpria toe te passen, een Extreme Ultraviolet (EUV) metaal oxide resist (MOR) van een JSR-bedrijf voor de productie van geavanceerde DRAM-chips. Inpria’s breed gepatenteerde metaaloxide foto resist platform voor EUV stelt klanten in staat om geavanceerde node-device-architecturen efficiënt te modelleren.
De materiaaloplossingen van Inpria bieden de prestaties die nodig zijn om de kosten van EUV-patronen aanzienlijk te verlagen en zijn compatibel met beproefde processen en apparatuur configuraties. Inpria’s MOR kan worden aangebracht door middel van een standaard spincoating proces.
Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.
Contacts
Missy Bindseil
mbindseil@jsrmicro.com
830-237-9527