-

Kioxia Corporation begint met de bouw van een nieuwe fabricagefaciliteit in de Kitakami-fabriek

KITAKAMI, Japan--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, de wereldleider op het gebied van geheugenoplossingen, heeft vandaag een baanbrekende ceremonie gehouden voor zijn ultramoderne productiefaciliteit voor halfgeleiders (Fab2) in zijn Kitakami-fabriek in de prefectuur Iwate, Japan. Door gebruik te maken van op AI gebaseerde geavanceerde productie, zal de nieuwe faciliteit bijdragen aan een mogelijke uitbreiding van de productie van zijn eigen 3D-flashgeheugen BiCS FLASHTM in de Kitakami-fabriek. De bouw van de Fab2-faciliteit zal naar verwachting in 2023 worden voltooid.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.

Contacts

Kota Yamaji
Public Relations
Kioxia Holdings Corporation
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Kioxia Corporation



Contacts

Kota Yamaji
Public Relations
Kioxia Holdings Corporation
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

Samenvatting: Kioxia is geselecteerd in Clarivate Top 100 Global Innovators 2025

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation werd genomineerd als een van de Clarivate Top 100 Global Innovators 2025, een award die wordt toegekend aan de meest innovatieve bedrijven ter wereld door Clarivate Plc. Dit is de vierde keer dat Kioxia deze prestigieuze award in ontvangst mag nemen, als erkenning van haar verwezenlijking op gebied van intellectueel eigendom. De Clarivate Top 100 Global Innovators 2025 Awards werden toegekend aan de meest innovatieve bedrijven en organisaties ter werel...

Samenvatting: Kioxia en Sandisk onthullen 3D-flashgeheugentechnologie van de volgende generatie met een interfacesnelheid van 4,8 Gb/s NAND

SAN FRANCISCO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation en Sandisk Corporation hebben baanbrekend werk verricht met een geavanceerde 3D-flashgeheugentechnologie, die de norm stelt voor de sector. De innovatie levert een NAND-interfacesnelheid van 4,8 Gb/s, superieure energie-efficiëntie en een hogere dichtheid. De nieuwe 3D-flashgeheugentechnologie werd onthuld op ISSCC 2025 en bevat samen met de revolutionaire CBA-technologie (CMOS direct Bonded to Array) van het bedrijf een van de nieuwste interfa...

Samenvatting: Kioxia ontwikkelt OCTRAM-technologie (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een wereldleider in geheugenoplossingen, kondigde vandaag aan dat het OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM) heeft ontwikkeld. Het gaat om een nieuw type 4F 2 DRAM, dat bestaat uit een oxide-semiconductortransistor die tegelijkertijd een hoge AAN-stroom en een ultralage UIT-stroom heeft. Naar verwachting zal deze technologie een DRAM met een laag stroomverbruik zal realiseren door de ultralage lekkage-eigenschap van de InGaZnO transistor...
Back to Newsroom
  1. There was an issue with the authorization server. Please contact support if the issue persists.