-

東芝推出用於隔離式固態繼電器的光電輸出光耦

-高開路電壓有助於驅動高壓功率MOSFET

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱「東芝」)推出了採用薄型S06L封裝的新款光電輸出光耦(「光電耦合器」)——TLP3910,適用於驅動高壓功率MOSFET的閘極,此類MOSFET用於實現隔離式固態繼電器(SSR)[1]功能。即日起開始量產出貨。

SSR是以光三極交流開關、光電電晶體或光控閘流體為輸出元件的半導體繼電器。它適用於對大電流執行開/關控制的應用。
光電耦合器是一種內建光學元件但不具有用於執行開關功能的MOSFET的光繼電器。在配置隔離式SSR設計時,透過將光電耦合器與MOSFET結合使用,便可輕鬆實現光繼電器難以支援的高壓大電流開關。

在驅動閘壓不低於10V的高壓功率MOSFET時,需要串聯兩個東芝的現有產品TLP3906,因為其開路電壓較低。相比而言,新推出的TLP3910的最小開路電壓為14V,是TLP3906的兩倍,且只需一個就能驅動高壓功率MOSFET的閘極。這有助於減少組件數量。

透過改進內建的放電電路,可實現0.1ms的典型關斷時間,約為TLP3906的1/3左右,約為TLP191B的1/30,從而實現更快的工作速度。

TLP3910是東芝首款最低隔離電壓達到5000Vrms[2]的光電耦合器,同時保持了TLP191B和TLP3906兩款現有產品的基本性能。這便於在採用AC400V電源系統驅動的工業設備中使用。此外,其最高工作溫度達到125℃,進一步擴大了應用範圍。

注:
[1] 在隔離式SSR中,一次側和二次側採用電氣隔離。透過隔離閘,可以控制連接到AC線的電路以及不同地電位的設備之間的切換。
[2] 根據東芝調查(截至2021年5月27日),在各類光電耦合器中。

應用

隔離式SSR:用於開關的高壓功率MOSFET的閘極驅動。

  • 工業設備:用於可程式化邏輯控制器等的I/O繼電器觸點輸出;制動系統的電磁驅動器控制組件;主電源電路/浪湧電流保護電路;電池管理系統(BMS)的電池電壓監測組件;接地故障檢測組件。
  • 測量設備:電源線開關;測量線開關

特性

  • 高開路電壓:VOC=14V(最小值)
  • 短路電流:ISC=12μA(最小值),IF=10mA時;(C20檔位產品)ISC=20μA(最小值),IF=10mA時
  • 高隔離電壓:BVS=5000Vrms(最小值)
  • 高額定工作溫度:Topr(最大值)=125℃
  • 爬電距離(間距):8mm(最小值)

主要規格

(除非另有說明,Ta=25℃時)

元件型號

TLP3910

控制電路

內建

絕對
最大
額定值

工作溫度Topr(°C)

-40至125

電氣
特性

輸入正向電壓
VF最小值/典型值/最大值(V)

IF=10mA時

3/3.3/3.6

耦合電氣
特性

開路電壓VOC最小值(V)

IF=10mA時

14

短路電流
ISC最小值(μA)

IF=10mA時

12

(C20檔位產品)
20

觸發LED電流IFT最大值(mA)

3

開關
特性

導通時間ton典型值/最大值(ms)

0.3/1.0

關斷時間toff典型值/最大值(ms)

0.1/0.5

隔離
特性

隔離電壓BVS最小值(Vrms)

5000

機械
參數

爬電距離/最小間距(mm)

8.0

封裝

名稱

SO6L

尺寸典型值(mm)

3.84×10×2.1

安全標準

UL、cUL、
VDE(選購 (D4) )

樣品查看與供貨狀態

線上購買

如需瞭解相關新品的更多資訊,請按下方連結。
TLP3910

如需瞭解東芝光學半導體元件的更多資訊,請按下方連結。
光學半導體元件

如需瞭解有關新產品線上經銷商網站的供貨情況,請造訪:
TLP3910
線上購買

客戶詢問
光電設備銷售與市場部
電話:+81-3-3457-3431
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
* 本文件中的資訊,包括產品價格和規格、服務內容和聯絡資訊,均為發布之日的最新資訊,如有更改,恕不另行通知。

關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社

東芝電子元件及儲存裝置株式會社(TDSC)是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD產品。

TDSC在全球各地的2.2萬名員工同心同德,竭力實現公司產品價值的最大化,同時重視與客戶的密切合作,促進價值和新市場的共同創造。TDSC期待在目前超過7,100億日圓(65億美元)的年度銷售額基礎上再接再厲,為全人類創造更加美好的未來。

如需瞭解更多關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社的資訊,請造訪https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒體諮詢:
Chiaki Nagasawa
數位行銷部
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
電話:+81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

媒體諮詢:
Chiaki Nagasawa
數位行銷部
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
電話:+81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出最高工作溫度達125°C的工業設備用四通道高速標準數位隔離器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了DCL54xx01A系列工業設備用四通道高速標準數位隔離器,進一步擴充其數位隔離器產品陣容。該系列包含10款新產品,均採用SOIC16-W封裝,最高工作溫度可達125°C。批量出貨自即日起開始。 碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)功率元件的廣泛應用,使得設計可在高溫條件下運行的工業設備成為可能。然而,在隔離訊號傳輸中,輸入和輸出之間的電磁雜訊可能會導致故障,這使得市場對能實現穩定控制訊號傳輸、同時兼具高抗噪性與高可靠性的隔離元件的需求與日俱增。 Toshiba新型數位隔離器支援高達125°C的最高工作溫度。歸功於公司專有的磁耦合隔離傳輸技術[1],該系列產品還實現了高達150kV/μs(典型值)[2]的高共模暫態耐受性(CMTI),從而協助設備穩定運行。 新產品提供多種通道設定:4個正向通道和0個反向通道;3個正向通道和1個反向通道;以及2個正向通道和2個反向通道。這種靈活性使其能夠廣泛...

Toshiba開始出貨TXZ+™系列入門級M4H組標準微控制器工程樣品,搭載用於系統控制應用的Arm® Cortex®-M4內核

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)宣布推出TXZ+™系列入門級M4H組標準微控制器[1],這些微控制器搭載帶有浮點運算器(FPU)的Arm® Cortex®-M4內核。全新微控制器專為消費產品(如冷氣機、洗衣機)以及工業設備(包括多功能事務機、工廠自動化系統)的小型系統控制應用而設計。Toshiba目前已開始提供這些新產品的工程樣品。 隨著現代消費產品和工業設備變得日益先進和多樣化,用於系統控制的微控制器必須具備更強的即時處理能力與穩定性,支援簡便的設計流程,提供長期運行所需的通用性,並具備足夠的靈活性以支援衍生產品的開發。Toshiba已透過開發專為系統控制應用而設計的TXZ+™系列入門級M4H組微控制器來因應這些挑戰,尤其注重其通用性。 這些全新微控制器被設計為入門級產品,可提供一系列基本功能。它們採用帶有FPU的Arm® Cortex®-M4內核,最高工作頻率達120MHz——這正是消費產品和工業設備所需的運算效能與回應...

提升次世代 AI 資料中心效率 Toshiba 開始出貨 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 測試樣品

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱 Toshiba)今日開始出貨「TW007D120E」測試樣品,此 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 主要用於次世代 AI 資料中心的電源供應系統,亦適用於再生能源相關設備。 隨著生成式 AI 快速擴張,耗電量遽增已成為資料中心迫在眉睫的課題。尤其是高功率 AI 伺服器的廣泛採用,以及 800 V 高壓直流 (HVDC) 架構部署日益增加,正全面推升市場對高電源轉換效率與高功率密度電源供應系統的需求。Toshiba 研發出 TW007D120E 以因應次世代 AI 資料中心需求,將有助於降低耗電量,並推動電源供應系統實現小型化與高效化。 TW007D120E 採用 Toshiba 獨家溝槽式閘極結構 [1],達到業界領先 [2] 的低單位面積導通電阻 (RDS (on)) A);透過更低的導通電阻減少導通損耗,同時降低切換損耗。與 Toshiba 現有產品相比,TW007D120E 的 RDS...
Back to Newsroom