-

东芝推出用于隔离式固态继电器的光伏输出光耦

-高开路电压有助于驱动高压功率MOSFET

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)推出了采用薄型S06L封装的新款光伏输出光耦(“光伏耦合器”)——“TLP3910”,适用于驱动高压功率MOSFET的栅极,此类MOSFET用于实现隔离式固态继电器(SSR)[1]功能。即日起开始批量出货。

SSR是以光电可控硅、光电晶体管或光电晶闸管为输出器件的半导体继电器。它适用于对大电流执行开/关控制的应用。
光伏耦合器是一种内置光学器件但不带用于执行开关功能的MOSFET的光继电器。在配置隔离式SSR设计时,通过将光伏耦合器与MOSFET结合使用,便可轻松实现光继电器难以支持的高压大电流开关。

在驱动栅压不低于10V的高压功率MOSFET时,需要串联两个东芝的现有产品TLP3906,因为其开路电压较低。 相比而言,新推出的TLP3910的最小开路电压为14V,是TLP3906的两倍,且只需一个就能驱动高压功率MOSFET的栅极。这有助于减少部件数量。

通过改进内置的放电电路,可实现0.1ms的典型关断时间,约为TLP3906的1/3左右,约为TLP191B的1/30,从而实现更快的工作速度。

TLP3910是东芝首款最低隔离电压达到5000Vrms[2]的光伏耦合器,同时保持了TLP191B和TLP3906两款现有产品的基本性能。这便于在采用AC400V电源系统驱动的工业设备中使用。此外,其最高工作温度达到125℃,进一步扩大了应用范围。

注:
[1] 在隔离式SSR中,一次侧和二次侧采用电气隔离。通过隔离栅,可以控制连接到AC线的电路以及不同地电位的设备之间的切换。
[2] 根据东芝调查(截至2021年5月27日),在各类光伏耦合器中。

应用

隔离式SSR:用于开关的高压功率MOSFET的栅极驱动。

  • 工业设备:用于可编程逻辑控制器等的I/O继电器触点输出;制动系统的电磁驱动器控制部件;主电源电路/浪涌电流保护电路;电池管理系统(BMS)的电池电压监测部件;接地故障检测部件。
  • 测量设备:电源线开关;测量线开关

特性

  • 高开路电压:VOC=14V(最小值)
  • 短路电流:ISC=12μA(最小值),IF=10mA时;(C20档位产品)ISC=20μA(最小值),IF=10mA时
  • 高隔离电压:BVS=5000Vrms(最小值)
  • 高额定工作温度:Topr(最大值)=125℃
  • 爬电距离(间距):8mm(最小值)

主要规格

(除非另有说明,Ta=25℃时)

器件型号

TLP3910

控制电路

内置

绝对
最大
额定值

工作温度Topr(°C)

-40至125

电气
特性

输入正向电压 

VF最小值/典型值/最大值(V)

IF=10mA时

3/3.3/3.6

耦合电气 

特性

开路电压VOC最小值(V)

IF=10mA时

14

短路电流 

ISC最小值(μA)

IF=10mA时

12

(C20档位产品)
20

触发LED电流IFT最大值(mA)

3

开关
特性

导通时间ton典型值/最大值(ms)

0.3/1.0

关断时间toff典型值/最大值(ms)

0.1/0.5

隔离
特性

隔离电压BVS最小值(Vrms)

5000

机械
参数

爬电距离/最小间距(mm)

8.0

封装

名称

SO6L

尺寸典型值(mm)

3.84×10×2.1

安全标准

UL、cUL、

 VDE(选件 (D4) )

样品查看与供货状态

在线购买

如需了解相关新品的更多信息,请点击下方链接。
TLP3910

如需了解东芝光学半导体器件的更多信息,请点击下方链接。
光学半导体器件

如需了解有关新产品在线分销商网站的供货情况,请访问:
TLP3910
在线购买

客户垂询
光电设备销售与市场部
电话:+81-3-3457-3431
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
* 本文档中的信息,包括产品价格和规格、服务内容和联系信息,均为发布之日的最新信息,如有更改,恕不另行通知。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社(TDSC)是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD产品。

TDSC在全球各地的2.2万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。TDSC期待在目前超过7,100亿日元(65亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全人类创造更加美好的未来。

如需了解更多关于东芝电子元件及存储装置株式会社的信息,请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒体咨询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
东芝电子元件及存储装置株式会社
电话:+81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

媒体咨询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
东芝电子元件及存储装置株式会社
电话:+81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出最高工作温度达125°C的工业设备用四通道高速标准数字隔离器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了DCL54xx01A系列工业设备用四通道高速标准数字隔离器,进一步扩充了其数字隔离器产品线。该系列包含10款新产品,均采用SOIC16-W封装,最高工作温度可达125°C。批量出货自即日起开始。 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件的广泛应用,使得设计可在高温条件下运行的工业设备成为可能。然而,在隔离信号传输中,输入和输出之间的电磁噪声可能会导致故障,这使得市场对能实现稳定控制信号传输、同时兼具高抗噪性与高可靠性的隔离器件的需求日益增长。 Toshiba新型数字隔离器支持高达125°C的最高工作温度。得益于公司专有的磁耦合隔离传输技术[1],该系列产品还实现了高达150kV/μs(典型值)[2]的高共模瞬态抗扰度(CMTI),从而助力设备稳定运行。 新产品提供多种通道配置:4个正向通道和0个反向通道;3个正向通道和1个反向通道;以及2个正向通道和2个反向通道。这种灵活性使其能够广泛...

Toshiba开始出货TXZ+™系列入门级M4H组标准微控制器工程样品,搭载用于系统控制应用的Arm® Cortex®-M4内核

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)宣布推出TXZ+™系列入门级M4H组标准微控制器[1],这些微控制器搭载带有浮点运算单元(FPU)的Arm® Cortex®-M4内核。全新微控制器专为消费产品(如空调、洗衣机)以及工业设备(包括多功能打印机、工厂自动化系统)的小型系统控制应用而设计。Toshiba目前已开始提供这些新产品的工程样品。 随着现代消费产品和工业设备变得日益先进和多样化,用于系统控制的微控制器必须具备更强的实时处理能力与稳定性,支持简便的设计流程,提供长期运行所需的通用性,并具备足够的灵活性以支持衍生产品的开发。Toshiba已通过开发专为系统控制应用而设计的TXZ+™系列入门级M4H组微控制器来应对这些挑战,尤其注重其通用性。 这些全新微控制器被设计为入门级产品,可提供一系列基本功能。它们采用带有FPU的Arm® Cortex®-M4内核,最高工作频率达120MHz——这正是消费产品和工业设备所需的计算性能与响应...

Toshiba开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(简称“Toshiba”)今天宣布1200V沟槽栅SiC MOSFET产品“TW007D120E”的测试样品开始出货。该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统,同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式人工智能(AI)的快速发展,电能消耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流(HVDC)架构部署的增加,推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求,Toshiba开发了TW007D120E,该产品将有助于降低功耗,并实现电源系统的小型化和更高效率。 TW007D120E采用Toshiba专有的沟槽栅结构[1],实现了业界领先[2]的单位面积低导通电阻(RDS(on)A);其通过更低的导通电阻降低导通损耗,同时实现更低的开关损耗。与Toshiba现有产品相比,TW007D120E将RDS(on)DS(on)A降低了约5...
Back to Newsroom