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El 5G y otras muchas aplicaciones: el fotodiodo de alta velocidad KP-H de Kyoto Semiconductor con chip-on-carrier integrado en la lente alcanza un ancho de banda de 40GHz

El KP-H KPDEH12L-CC1C con una velocidad de transmisión de 400Gbps comenzará su producción a gran escala en noviembre de 2020

original KP-H High-speed Photodiode KPDEH12L-CC1C (Graphic: Business Wire)

KP-H High-speed Photodiode KPDEH12L-CC1C (Graphic: Business Wire)

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kyoto Semiconductor Co., Ltd. (sede en Kioto, Japón) ha desarrollado un fotodiodo de alta velocidad KP-H KPDEH12L-CC1C para soportar aquellos sistemas de transmisión de 400Gbps que utilizan PAM4 (Pulse Amplitude Modulation 4) en el interior y entre los centros de datos. Con el lanzamiento de este fotodiodo InGaAs, la compañía pretende satisfacer la creciente necesidad de mejorar la velocidad y la capacidad de los sistemas de transmisión en redes 5G y otras muchas aplicaciones. La producción a gran escala comenzará en noviembre de 2020.

El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal.

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