5G en verder: Kyoto Semiconductor’s KP-H snelle fotodiode met in lens geïntegreerde chip-on-carrier bereikt bandbreedte van 40 GHz

KP-H KPDEH12L-CC1C met een transmissiesnelheid van 400 Gbps zal in november 2020 met massaproductie beginnen

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kyoto Semiconductor Co., Ltd. (met hoofdkantoor in Kyoto, Japan) heeft een snelle fotodiode KP-H KPDEH12L-CC1C ontwikkeld ter ondersteuning van 400 Gbps transmissiesystemen die PAM4 (Pulse Amplitude Modulation 4) gebruiken binnen en tussen datacenters. Met de introductie van deze InGaAs-fotodiode ondersteunt het bedrijf voortdurend de toenemende snelheden en capaciteitsvereisten voor transmissiesystemen in 5G-netwerken en daarbuiten. De massaproductie start in november 2020.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.