-

ロームと東芝デバイス&ストレージが共同で進める「パワー半導体の供給確保計画」が経済産業省より認定

京都 & 川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- ローム株式会社(以下、ローム)と、東芝デバイス&ストレージ株式会社(以下、東芝デバイス&ストレージ)が、共同で申請していたパワー半導体に関する製造連携及び量産投資計画が、経済産業省の「半導体の安定供給確保のための取組に関する計画(供給確保計画)」として認定されましたので、お知らせします。本計画は、ロームがSiC(炭化ケイ素)パワー半導体、東芝デバイス&ストレージがSi(シリコン)パワー半導体への投資を重点的に行うことで効率的に供給力を拡大しそれを相互に活用する、製造に関する連携を行うものです。

電力を供給、制御する役目を果たすパワー半導体は、脱炭素社会やカーボンニュートラルの実現に向けて必要不可欠であり、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。自動車向けにおいては、電動化が急速に進む中、より高効率で小型・軽量化された電動パワートレインシステムの開発が進んでいます。また、産業機器向けにおいても、自動化・効率化の要請は強く、パワー半導体の安定供給に加えて、性能向上にも大きな期待が寄せられています。

こうした中、ロームは経営ビジョンに「パワーとアナログにフォーカスし、お客様の“省エネ”・“小型化”に寄与することで、社会課題を解決する」と掲げ、脱炭素に向けた取り組みを加速しています。中でも省エネ化のキーデバイスとして期待されるのがSiCパワー半導体です。世界で初めてSiC MOSFETの量産を開始して以来、常に業界をリードする技術開発を進めており、最新の第4世代SiC MOSFETは、数多くの電気自動車や産業機器等への採用が予定されています。また、急拡大するSiC需要に応えるため、生産能力増強に積極的かつ継続的な投資を計画する等、重点事業の一つとして取り組んでいます。

一方、東芝グループは経営理念に「人と、地球の、明日のために。」と掲げ、「カーボンニュートラル」と「サーキュラーエコノミー」の実現をめざしています。東芝デバイス&ストレージは、車載、産業向けを中心にSiパワー半導体を長年供給し、あらゆる電気機器の省エネ化・小型化に貢献してきました。昨年より300mmウエハを用いた生産を開始するとともに、引き続き旺盛な需要に応えるべくさらなる生産能力増強に取り組んでいます。また、SiCパワー半導体についても研究開発を加速しており、鉄道向けで培ったノウハウを活用することによって、車載や送配電分野などに向けた製品ラインアップ拡充に努めています。

なお、ロームは株式会社東芝の非公開化に際して出資をしたことを公表していますが、本出資により、今般の両社による製造連携に至ったものではありません。半導体産業における国際的な競争環境が激化する中、ロームと東芝デバイス&ストレージでは、かねてよりパワー半導体事業における連携を検討しており、このたびの共同申請となったものです。

今後は、当該計画に則り、ロームがSiCパワー半導体、東芝デバイス&ストレージがSiパワー半導体への投資を重点的に行い、相互に補完しあえる製造連携を加速することで、両社の国際的な競争力向上を目指すとともに、国内サプライチェーンの強靭化にも貢献してまいります。

<認定された供給確保計画の概要> 

事業者名

ローム株式会社、ラピスセミコンダクタ株式会社、

東芝デバイス&ストレージ株式会社、加賀東芝エレクトロニクス株式会社

事業総額

3,883億円 

(うちローム/ラピスセミコンダクタ:2,892億円

 東芝デバイス&ストレージ/加賀東芝エレクトロニクス:991億円)

最大助成金額

1,294億円 (上限:対象事業総額の1/3)

生産場所

ラピスセミコンダクタ宮崎第二工場(SiCパワー半導体、SiCウエハ)、

加賀東芝エレクトロニクス(Siパワー半導体)

内容

SiCパワー半導体、Siパワー半導体及びSiCウエハの国内における生産能力の強化

 

Contacts

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:

ローム株式会社 
広報IR部
Phone 075-311-2121(代表)
Mail press@rohm.co.jp

株式会社 東芝
コーポレートコミュニケーション部 メディアコミュニケーション室
Phone 03-3457-2100
Mail media.relations@toshiba.co.jp

Toshiba Corporation



Contacts

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:

ローム株式会社 
広報IR部
Phone 075-311-2121(代表)
Mail press@rohm.co.jp

株式会社 東芝
コーポレートコミュニケーション部 メディアコミュニケーション室
Phone 03-3457-2100
Mail media.relations@toshiba.co.jp

More News From Toshiba Corporation

東芝:機器の小型化に貢献する車載用ブラシ付きDCモーター向けゲートドライバーの量産開始について

川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、パワーバックドアやパワースライドドアのラッチモーター[注1]やロックモーター[注2]、パワーウインドウやパワーシートなどの駆動モーター向けに、車載ブラシ付きDCモーター用ゲートドライバー[注3] 「TB9103FTG」の量産を開始しました。 近年車載機器では、従来は手動であった可動部の電動化が進み、自動車1台当たりのモーターの需要が増加しています。モーターを駆動するドライバーの数も増加しており、システムが小型化、統合化されています。中には回転速度制御不要のモーターアプリケーションもあり、機能、性能を絞ったドライバーが求められています。 TB9103FTGは、回転速度制御不要のブラシ付きDCモーター用ゲートドライバーに必要な機能と性能を絞り込むことで小型化を実現しています。また、チャージポンプ回路[注4]を内蔵し、モーター駆動用外付けMOSFETを十分に駆動できる電圧を確保しています。さらに、ゲート監視機能を搭載しており、ハイサイド外付けMOSFET、ローサイド外付けMOSFETへの...

東芝:安全機能を強化した産業用機器向けSiC MOSFETゲート駆動用フォトカプラーの発売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、シリコンカーバイド (SiC) MOSFETのゲート駆動向けに、アクティブミラークランプ機能を内蔵した+6.8A/-4.8A出力で小型SO8Lパッケージのゲートドライバーカプラー「TLP5814H」を製品化し、本日から出荷を開始します。 インバーターなどMOSFETやIGBTを直列で使用する回路では、下アーム[注1]のオフ時にミラー電流[注2]によるゲート電圧が発生し、上下アーム短絡[注3]などの誤動作を起こすことがあります。この対策としてオフ時のゲートに負電圧を印加するのが一般的でした。シリコン (Si) MOSFETと比べて一般的に高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチング特性を実現したSiC MOSFETは、ゲート・ソース間電圧に十分な負電圧を印加できないデバイスもあります。この場合は、アクティブミラークランプ回路を使用し、ミラー電流をゲートからグランドへ流すことで、ゲートの負電圧なしで上下アーム短絡などの誤動作を防ぐことができます。一方で、コストダウンのためにIGBTオフ時のゲー...

東芝:AEC-Q100に準拠した車載用スタンダードデジタルアイソレーターの発売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、当社初の車載用スタンダードデジタルアイソレーターとして、100kV/μs (typ.)[注1]の高いコモンモード過渡耐性 (高CMTI) による安定動作と、50Mbps (max)[注2]の高速データ通信を実現した、ハイスピード4チャネル車載用スタンダードデジタルアイソレーター「DCM34xx01シリーズ」10品種を製品化しました。新製品は、自動車用電子部品の信頼性を確保するための品質規格AEC-Q100に準拠しています。本日から出荷を開始します。 ハイブリッド車 (HEV) と電気自動車 (EV) のオンボードチャージャー (OBC) やバッテリーマネジメントシステム (BMS) などでは安全性と信頼性を確保するために、絶縁を担保しノイズの伝搬を防ぐアイソレーションデバイスは欠かせません。これらのアイソレーションデバイスに要求される、多チャネルの高速通信、高CMTI要求へのソリューションとして、車載用スタンダードデジタルアイソレーターは適しています。 新製品は当社独自の磁気結合型...
Back to Newsroom