Transphorm und Allegro MicroSystems arbeiten gemeinsam an Leistungssteigerung von GaN-Stromversorgungssystemen für Hochleistungsanwendungen

Speziell entwickelte isolierte Gate-Treiber ermöglichen schnelle Einführung moderner GaN-Halbleiter in Rechenzentren, bei erneuerbaren Energien und in Elektrofahrzeugen

GOLETA, Kalifornien, USA--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), ein weltweit führender Anbieter von robusten GaN-Leistungshalbleitern, und Allegro MicroSystems, Inc. („Allegro“) (Nasdaq: ALGM), ein weltweit führender Anbieter von Leistungs- und Sensor-Halbleitertechnologie für Bewegungssteuerung und energieeffiziente Systeme, gaben heute bekannt eine Zusammenarbeit bekannt, im Rahmen derer die SuperGaN^® FETs von Transphorm und der isolierte Gate-Treiber AHV85110 von Allegro dafür genutzt werden, die Weiterentwicklung des Designs von GaN-Stromversorgungssystemen für Anwendungen mit hoher Leistung zu ermöglichen.

Die SuperGaN-FETs von Transphorm eignen sich für den Einsatz in verschiedenen Topologien und sind in diversen Paketen erhältlich, sodass sie einen breiten Leistungsbereich abdecken und gleichzeitig den Anforderungen verschiedener Endanwendungen gerecht werden. SuperGaN-FETs kommen in zahlreichen kommerziellen Produkten zum Einsatz, darunter auch in Systemen mit höherer Leistung, in denen sie nachweislich die Zuverlässigkeit, die Leistungsdichte und die Effizienz deutlich erhöhen.

Der selbstversorgte, isolierter Einkanal-Gate-Treiber IC von Allegro ist für die Ansteuerung von GaN-FETs bei zahlreichen Anwendungen und Schaltungen optimiert. Der AHV85110 steigert erwiesenermaßen die Treiber-Effizienz um bis zu 50 % im Vergleich zu Konkurrenz-Gate-Treibern. Im Vergleich zu anderen Lösungen auf dem Markt bietet diese einzigartige Lösung eine erhebliche Vereinfachung des Systemdesigns sowie eine Reduktion des Rauschens um das 10-fache und der Gleichtaktkapazität um das 15-fache.

„Der Hochspannung-Gate-Treiber AHV85110 von Allegro zeichnet sich durch eine äußerst kompakte und effiziente Implementierung der Leistungsstufe aus. Dies trägt zu einer Reduzierung des Platzbedarfs um ca. 30 Prozent bei, wobei die Anzahl der externen Komponenten und die Anforderungen an die Vorspannungsversorgung der Stromversorgungsgeräte von Transphorm auf ein Minimum reduziert werden“, so Tushar Dhayagude, Vice President of Worldwide Sales and FAE, Transphorm. „In Kombination mit der höchsten Zuverlässigkeit von SuperGaN und der im Vergleich zu Konkurrenztechnologien überlegenen dynamischen Schaltleistung ist das Endergebnis eine effizientere, robustere Lösung mit höherer Leistungsdichte bei kritischen Anwendungen wie Servern, Rechenzentren, erneuerbaren Energien und Elektrofahrzeugen.”

„Wir freuen uns sehr über die Zusammenarbeit mit Transphorm, die den Schwerpunkt von Allegro auf die Unterstützung von Kunden bei der Optimierung der Entwicklung und des Designs von GaN-basierten Systemen weiter unterstützt“, so Vijay Mangtani, Vice President und General Manager of High Voltage Power, Allegro MicroSystems. „Wir freuen uns auf die Möglichkeit, unseren isolierten Hochspannungs-Gate-Treiber AHV85110 mit dem SuperGaN FET von Transphorm zu kombinieren, um eine höhere Leistungsdichte, einen höheren Wirkungsgrad und eine höhere Ausgangsleistung in kleineren Formfaktoren zu ermöglichen und sowohl unseren als auch den Kunden von Transphorm einen Mehrwert zu bieten.”

Wer die gemeinsame Lösung testen möchte, kann dies über das APEK85110KNH-06-T-Evaluierungsboard von Allegro tun. Das Board umfasst sowohl den AHV85110, der für verschiedene Anwendungen konzipiert ist, als auch das jüngst bekannt gegebene TOLL-Paket, das in drei Ausführungen mit On-Widerständen von 35, 50 und 72 Milliohm erhältlich ist.

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte fördert Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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