Transphorm 亮相 PCIM 2023 展会：卓越的 GaN 解决方案为电动汽车系统提供电源适配器

• 提供最广泛的功率范围：此次参展的全新 650 V Weltrend SuperGaN SiP 设计将揭示 1200 V SuperGaN 器件的设计资源
• 观众将见证 SuperGaN 平台无可比拟的可靠性、效率和性能

加利福尼亚州戈莱塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--Transphorm, Inc. (纳斯达克代码：TGAN) 是一家提供高可靠性、高性能氮化镓 (GaN) 功率转换产品的领军企业和全球供应商。该公司今天宣布将在 PCIM 2023 展会上重点展示其在全功率范围市场应用中不断延伸的足迹。参展器件将展示 Transphorm 采用 GaN 功率转换解决方案支持从低到高的各个等级功率系统的能力，呈现无可比拟的可制造性、可设计性、可驱动性和可靠性。诚邀与会者在 5 月 9 日至 11 日的活动期间莅临 Transphorm 在 7 号展厅的 108 号展位。

降低 BOM 成本

WT7162RHUG24A 是最近宣布与 Weltrend 半导体公司合作研发的 SuperGaN® SiP，继在 APEC 2023 上首次亮相后，将在此展会上再次展出。它将与 Weltrend 的高效单级 65 W USB-C PD 3.0 + PPS 电源适配器参考设计一起展出。此款参考设计采用新的集成电路构建。该电路板的总峰值效率约为 94.0%，功率密度为 26 W/in³，为可编程适配器提供了一个全面的、经济高效的解决方案。如需 SiP 样品，请联系 [e-mail]。

演示系统性能的提升

对于寻求前所未有的功率转换性能的工程师来说，Transphorm 的器件组合提供了多种选择。这些器件采用性能封装，如果客户需要插入式替换件，则采用引脚对引脚兼容的行业标准封装。现场静态演示将展示在现有的游戏笔记本电脑充电器中用 Transphorm FET 替换 TSMC e-mode 器件显著提高了系统性能。

简化 GaN 在 3 kW 逆变器系统中的使用

最新发布的 TDINV3000W050B-KIT 是一款 3.0 kW 直流-交流非隔离全桥逆变器评估板，将在此次展会首次亮相。它的作用是将 Transphorm 的 TP65H050G4WS SuperGaN FET 与 Microchip Technology 的 dsPIC33CK 数字信号控制器 (DSC) 板配对。DSC 板配备了预编程固件，有助于理解和促进广泛工业领域和可再生能源系统中 superGaN 解决方案的开发。

促进汽车行业 GaN 解决方案的多样化

得益于 Transphorm 的技术专长，它能够为以汽车为主体的 GaN 功率转换解决方案树立关键的行业基准。Transphorm 率先推出符合 AEC-Q101 标准的 650 V 器件，也是唯一一家推出符合 175°C 标准的 AEC-Q101 器件的 GaN 器件制造商。此外，在 PCIM 展会上，Transphorm 将发布一年前首次展示的 1200 V GaN 器件的设计资源，打造新的里程碑。该器件将完善本就强大的 650 V 解决方案，使各种电动汽车应用发挥更大作用。

演讲

在 Bodo 的电力系统会议期间，了解有关 Transphorm 的 GaN 平台如何影响所有功率级别的电力系统的更多信息。

议题：采用 GaN HEMT 和垂直 GaN 的宽带隙设计
演讲人：Philip Zuk，业务开发与营销高级副总裁
日期：5 月 10 日
时间：1:05 p.m. CEST
地点：Industry Stage, 7 号厅 480 号展位

一个核心平台，涵盖功率范围

Transphorm 是 GaN 高功率半导体行业的领军企业，凭借以下技术特性脱颖而出：

可制造性：拥有 EPI 设计、晶圆工艺和 FET 裸片设计的垂直整合。

可设计性：提供知名的行业标准封装和性能封装，同时与全球知名的头部技术企业合作，实现更便捷、更快速的系统开发。

可驱动性：提供与硅基驱动方式相同，并可以与现成的控制器和驱动器配对，同时只需要极少外部电路的器件。

可靠性：从低功率到高功率的各种应用情景下总计现场运行超过 1250 亿小时，当前 FIT 率 < 0.05，处于行业领先地位。

欢迎来访

如需安排在展会期间与 Transphorm 人员会面，请访问 [e-mail]。

关于 Transphorm

Transphorm 公司是 GaN 革命的全球领导者，为高电压功率转换应用设计和制造高性能、高可靠的 GaN 半导体。Transphorm 拥有最大的功率 GaN 知识产权组合之一，其自有或许可专利高达 1000 多项，生产了业界首款符合 JEDEC 和 AEC-Q101 标准的高压 GaN 半导体器件。公司凭借垂直整合器件业务模式能够在每个开发阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm 的创新使电力电子技术超越了硅基的限制，效率提高到 99% 以上，功率密度提高了 50%，系统成本降低了 20%。Transphorm 的总部位于加利福尼亚州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需更多信息，请访问 www.transphormusa.com。欢迎关注我们的 Twitter @transphormusa和微信公众号 @Transphorm_GaN。

SuperGaN 标志是 Transphorm 公司的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的资产。

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