米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、マイクロチップ・テクノロジーのデジタル信号コントローラーを用いた3つ目の高出力GaN設計ツールの提供を開始したと発表しました。TDINV3000W050B-KITは、3.0kWのDC-AC非絶縁フルブリッジインバーターの評価ボードです。トランスフォーム製TP65H050G4WS SuperGaN® FETにマイクロチップ製dsPIC33CKデジタル信号コントローラー（DSC）ボードを組み合わせたもので、エンドアプリケーションの要件に応じて簡単にカスタマイズできる事前プログラム済みファームウエアを備えています。この新しいボードを使用することで、GaN分野におけるトランスフォームの優れた実績が明瞭となり、幅広い産業用および再生可能エネルギー用の電源システムにおけるGaNの使用法を理解することができます。
これまでの2つのSuperGaN/Microchip DSC評価ボード（4kW TDTTP4000W066C-KITおよび2.5kW TDTTP2500B066B-KIT）と同様に、この単相3.0kWインバーターボードでも、マイクロチップの世界中の技術サポートチームからファームウエア開発支援を受けることができます。
マイクロチップのMCU16事業部門バイスプレジデントのジョー・トムセン氏は、次のように述べています。「当社のdsPIC®デジタル信号コントローラーとファームウエアカスタマイズの専門性は、トランスフォームのGaN技術を補完し、設計を簡素化しながら開発を加速化させることに貢献します。トランスフォームとの協力により、種々の持続可能なアプリケーションに対応するための柔軟で高効率の電力変換を実現できることを誇りに思います。」
トランスフォームの事業開発・マーケティング担当シニアバイスプレジデントのフィリップ・ズークは、次のように述べています。「EV充電器、UPS、太陽光発電用インバーターなどの高電圧電源システムは、急速にGaN製品にとっての急成長市場となっています。トランスフォームのGaNプラットフォームは、このようなアプリケーションを想定して開発したものです。ファームウエア面でマイクロチップと協力することで、当社は顧客の重要かつ持続可能な電力システムプロジェクトを非常に効率的に支援できます。ファームウエアのプログラミングで生じ得る制限を取り除くことで、開発を簡素化し、市場投入期間を短縮できるのです。この協業によって、再生可能エネルギーやその他の産業が当社のGaN製品から得られる利点のすべてを容易に活用できるようになります。」
技術仕様
TDINV3000W050B-KITには、次の特徴があります。
- TP65H050G4WS： 650V 50mΩ SuperGaN FETをTO-247パッケージに収容
- 電力効率：約99%
- 入力電圧：0VDC～400VDC
- 出力電圧：50/60HzでVDC / √2 VRMS（プログラム可能）
- 出力電力：最大3000W
- 補助供給電圧：12VCC
このボードは、PFCパワートレイン制御用のマイクロチップ製dsPIC33CKデジタル電源プラグインモジュール（PIM）を中心に設計されており、次の事前プログラム済みPIM機能を備えています。
- マイクロチップのAEC-Q100準拠dsPIC33CK256MP506デジタル信号コントローラー
- 統合型DSPと強化型オンチップ周辺デバイスを搭載した100MHz dsPIC® DSCコア
- デュアル・フラッシュ・パネルにより、電力供給しながらコードのライブアップデートが可能
- BOMコストの削減とシステムサイズの最小化を実現する高度なアナログ統合
- 独立したPWM 8組（解像度250ps）
dsPIC33CK PIMのファームウエアのアップデートは、マイクロチップのウェブサイトからダウンロードできます。
マイクロチップのdsPIC® DSCは、専門知識が限られている開発者も含めて、開発者に力をもたらすために作られた組み込み設計ツールセットによってサポートされています。これらのツールは、マイクロチップの無償のMPLAB® X統合開発環境でデバイス初期化のための直感的なグラフィック・ユーザー・インターフェースを提供します。これらのソフトウエアツールは、プログラマー、デバッガー、エミュレーターのための完全なアクセサリー群によって補完されます。
提供と市場アプリケーションについて
TDINV3000W050B-KITは、ディジ・キーとマウザーで提供しています。
この評価ボードは、ビークル・ツー・グリッド（V2G）充電システム、太陽光発電（PV）用インバーター、無停電電源装置（UPS）、その他の高圧電源アプリケーションの開発で利用できるように設計されています。
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。
SuperGaNマークは、トランスフォームの登録商標です。その他すべての商標は、それぞれの所有者に帰属します。
本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。
