GOLETA, Kalifornien (USA)--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN) – ein Pionier und globaler Anbieter von hochzuverlässigen Hochleistungs-Galliumnitrid-(GaN)-Leistungsumwandlungsprodukten – gab heute die Erweiterung seiner Designtools mit digitaler Signalverarbeitungstechnologie von Microchip Technology Microchip Technology bekannt. Das TDTTP2500B066B-KIT ist ein brückenloses 2,5-kW-AC-zu-DC-Totempfahl-Evaluierungsboard zur Leistungsfaktorkorrektur (PFC). Es kombiniert die SuperGaN® FETs von Transphorm mit der dsPIC33CK Digital Signal Controller (DSC)-Platine von Microchip, die vorprogrammierte Firmware enthält, die leicht an die Anforderungen der Endanwendung angepasst werden kann. Der Einsatz des neuen Boards ermöglicht eine schnellere Entwicklung von Netzteilen für Rechenzentren und breite industrielle Anwendungen.
Neues Gerät + Neues Feature = Erhöhte Entwicklungsfunktionalität
Das TDTTP2500B066B-KIT ist ab Lager mit einer Tochterkarte erhältlich, die Transphorms neuestes SuperGaN Gen IV-Gerät, den TP65H050G4BS, verwendet – einen 650-V-SMD-SuperGaN-FET in einem TO-263 (D2PAK) mit einem typischen Durchlasswiderstand von 50 Milliohm.
Das neue Board führt auch eine erweiterte Funktion ein, um seine Benutzerfreundlichkeit zu erhöhen: austauschbare Tochterkarten, die die GaN-Geräte von Transphorm aufnehmen. Infolgedessen können Konstrukteure auch die TP65H070LDG/LSG-GaN-Bauelemente mit einem Einschaltwiderstand von 72 Milliohm durch die Verwendung einer zweiten optionalen Tochterkarte – der separat erhältlichen TDHB-65H070L-DC – evaluieren. Diese Tochterkarte ist ein Drop-In-Ersatz für die 50-Milliohm-FET-Karte.
Wie beim ersten SuperGaN/Microchip-DSC-Evaluierungsboard (das 4 kW TDTTP4000W066C-KIT) wird das 2,5-kW-Board durch den Zugriff auf das weltweite technische Support-Team von Microchip für die Firmware-Entwicklung unterstützt.
„Unsere kontinuierliche Zusammenarbeit mit Transphorm liefert innovative Leistungselektroniklösungen für den wachsenden Markt der GaN-Leistungsumwandlung“, sagte Joe Thomsen, Vizepräsident des Geschäftsbereichs MCU16 von Microchip. „Microchip investiert stark in die Führung des technologischen Wandels durch intelligente integrierte Lösungen. Die Leistung und Flexibilität unserer digitalen Signalprozessoren passt perfekt zu den anspruchsvollen Anforderungen von GaN-basierten Leistungsumwandlungsanwendungen.“
Die dsPIC®-DSCs von Microchip werden von einer Reihe von Embedded-Design-Tools unterstützt, die entwickelt wurden, um Entwicklern zu helfen, auch solche mit begrenztem Fachwissen. Mit diesen Tools erhält man eine intuitive grafische Benutzerschnittstelle für die Initialisierung von Geräten in der kostenlosen integrierten Entwicklungsumgebung MPLAB® X von Microchip. Ergänzend zu den Software-Tools gibt es eine vollständige Produktlinie mit Zubehör für Programmierer, Debugger und Emulatoren.
Technische Spezifikationen
Die DSC-integrierte Lösung, die im TDTTP2500B066B-KIT von Transphorm verwendet wird, bietet:
- 650 V 50 mΩ SuperGaN FET (TP65H050G4BS)
- Eingangsspannung: 85 Vbis 265 V Wechselspannung, 47 Hz bis 63 Hz
- Eingangsstrom: 18 Arme; 1.250 kW bei 115 V Wechselspannung, 2.500 kW bei 230 V Wechselspannung
- Ausgangsspannung: 390 V ± 5 V Gleichspannung (programmierbar)
- Totzeit: programmierbar
- PWM-Frequenz: 66 kHz
- Leistungsfaktor: > 0,99
Die Platine wurde um das digitale Power Plug-in-Modul (PIM) dsPIC33CK von Microchip zur Steuerung des PFC-Antriebsstrangs mit den folgenden vorprogrammierten PIM-Funktionen entwickelt:
- Digitalsignalcontroller dsPIC33CK256MP506 von Microchip mit Qualifizierung nach AEC-Q100
- 100 MIPS für schnelle deterministische Leistung bei zeitkritischen Kontrollanwendungen
- Dual Flash Panels ermöglichen die direkte Aktualisierung von Code, wenn das Netzgerät in Betrieb ist
- Hohe analoge Integration für reduzierte BOM-Kosten und minimale Systemgröße
- PWM mit einer Auflösung von 250 ps
Firmware-Updates für das PIM dsPIC33CK werden zum Download von der Website von Microchip bereitstehen.
„Wir stellen sicher, dass unsere Kunden die Vorteile unserer GaN-Plattform einfach nutzen können, indem wir Designherausforderungen eliminieren, die Entwicklung vereinfachen und die Markteinführung beschleunigen. Die Integration der ausgereiften DSC-Funktionen von Microchip ist für diese Mission von entscheidender Bedeutung“, sagte Philip Zuk, SVP of Worldwide Technical Marketing and Business Development, Transphorm. „Wir bieten jetzt die am häufigsten benötigte Leistungsstufe, bei der GaN seinen höchsten Wert in zwei Leistungsstufen mit vorprogrammierter Firmware und einer austauschbaren GaN-Bausteinkonfiguration bietet.“
Verfügbarkeit
Das TDTTP2500B066B-KIT ist über Digi-Key und Mouser erhältlich.
Kunden, die die 70-Milliohm-FETs von Transphorm testen möchten, können die Tochterkarte TDHB-65H070L-DC hier bestellen.
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovation in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.
Die SuperGaN-Marke ist eine eingetragene Marke von Transphorm, Inc. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.
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