英國劍橋訊--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，致力於開發多種節能的氮化鎵（GaN）器件，以實現更環保的電子元件。CGD 正在與全球領先的連接和電源解決方案供應商Qorvo ® （納斯達克股票代碼：QRVO）合作開發 GaN 在電機控制應用中的參攷設計和評估套件（EVK）。 CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統。 Qorvo 在為其 PAC5556A 高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器設計的 EVK 中採用了 CGD 的 ICeGaN ™ （IC 增强型 GaN）科技。
GiorGIA LONGOBARDI | CGD 執行長 「與其他同行提供的 GaN 效能不同，我們提供的 ICeGaN HEMT 提供了介面電路，沒有集成控制器； 囙此通過與高度集成的電機控制器和驅動 IC 進行簡單的結合，IceGaN 就可以由例如 Qorvo 的 PAC5556A 600 V 高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器的驅動器輕鬆驅動。 我們很高興與 Qorvo 合作，使其電機控制器和驅動器應用盡享 CGD GaN 的功率帶來的益處。」 |
JEff Strang | Qorvo功率管理事業部總經理 「GaN 和碳化矽（SiC）等寬禁帶電晶體因憑藉其更高的功率密度和效率優勢而被積極用於各種電機控制應用中。 CGD 的 ICeGaN 產品提供了易用性和可靠性，這些是電機控制和驅動設計師關心的兩個關鍵因素。 我們很高興看到設計工程師將 CGD 的 ICeGaN 與我們高度集成的 PAC5556A 600V 無刷直流電機控制解決方案相結合時的反應。」 |
GaN 帶來的多種益處包括：更低的損耗，從而帶來更高的效率，進而新增了功率可用性和產生更少的熱量。 這减少了對複雜、龐大和昂貴的熱管理解決方案的需求，從而產生更小、更强大、壽命更長的系統。 GaN 還可以在低速時提供更高的扭矩，囙此可以實現更精確的控制。 此外，GaN允許高速切換，這可以减少可聽雜訊，這對於吊扇、熱泵和冰柜等家電尤其重要。
除了易用性之外，與其他 GaN 器件相比，ICeGaN 還提供了以下幾個顯著的優點。 ICeGaN 的閘極驅動電壓與 IGBT 相容。 由於 ICeGaN 在 GaN IC 內集成了米勒箝比特，所以不需要負關斷電壓，並且可以使用低成本的電流驅動器。 最後，ICeGaN 包括有用的電流感測功能，簡化了電路設計並减少了物料清單（BOM）。
參攷設計現已上市，EVK RD5556GaN 將在今年第3季度上市。 該產品將於2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM展覽上首次公開展示。 CGD的展位號為7-643。 Qorvo展位號為7-406。
關於 Cambridge GaN Devices
英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱CGD）專注於 GaN 電晶體和 IC 的設計、開發及商業化，致力於推動能源效率和提高功率密度層面的根本變革。我們的使命是提供各種簡便節能的 GaN 解決方案，以便將創新成果帶入日常生活。CGD的ICeGaN™ 技術已被證實適合大規模生產，公司正在快速擴展，製造商和代理商的合作夥伴關係也陸續到位。CGD 是從劍橋大學分立出來的無晶圓廠半導體公司， 創辦人兼執行長 Giorgia Longobardi 博士及技術長 Florin Udrea 教授等公司創辦人仍與劍橋大學享有盛譽的高電壓微電子及感測器小組 (HVMS) 維持密切合作。在 CGD 專注推動創新的努力下，ICeGaN HEMT 技術取得一系列強大且持續擴展的 IP 組合，享有堅實可靠的智慧財產保障。CGD 團隊所擁有的技術和商業專業知識，加上在電力電子市場受到的肯定與良好記錄，是公司專有技術在市場上獲得認可的基礎。