トランスフォームとウェルトレンド・セミコンダクター、新型の統合型GaNシステムインパッケージをリリース

SuperGaNベースのSiPファミリーは3つのデバイスとなり、より幅広い次世代アダプタおよび充電器の電力レベルをサポート

米カリフォルニア州ゴリータ、台湾・新竹--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 堅牢型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の世界的リーダーであるトランスフォーム（Nasdaq: TGAN）と、アダプターUSBパワーデリバリー（PD）コントローラ集積回路（IC）で世界をリードするウェルトレンド・セミコンダクター（TWSE: 2436）は、2つの新型GaNシステムインパッケージ（SiP）の発売開始を発表しました。新型デバイスは、昨年発表されたウェルトレンドのフラッグシップモデルのGaN SiPと組み合わせることで、トランスフォームのSuperGaN®プラットフォームをベースとする初のSiP製品ファミリーとなります。

新型SiP（WT7162RHUG24BおよびWT7162RHUG24C）は、ウェルトレンドの高周波マルチモード（QR/バレー スイッチング）フライバックPWMコントローラと、それぞれトランスフォームの150 mΩおよび480 mΩ SuperGaN FETを統合しています。 240 mΩの前モデル（WT7162RHUG24A）と同様、本デバイスはUSB PDまたはプログラマブル電源アダプタ コントローラと組み合わせることで、総合的なアダプタ ソリューションとなります。特に、UHVバレー追跡充電モード、適応型OCP補償、適応型グリーン モード制御などのいくつかの革新的な機能も提供し、顧客は最もシンプルな設計アプローチを使用しつつ、より少ないコンポーネントで高品質の電源をより迅速に設計することができます。

ウェルトレンドのマーケティング担当副社長のウェイン・ローは、「昨年、当社が初めてGaN SiPを発売したとき、それは当社の進化における重要なマイルストーンでした。これは、AC-DC電力市場向けの新しいGTM戦略を実証しました、本日のニュースは、当社がより幅広い製品の電力レベルをサポートするように設計された、より幅広いデバイスの選択肢で当分野にサービスを提供し続けていることを裏付けています。トランスフォームのSuperGaNプラットフォームを用いたトータル パッケージ ソリューションは、30 Wと消費電力の小さなUSB-C PD電源アダプタから、トランスフォームならではのGaNである約200 Wの充電器に至るまで、デバイスに比類のないパフォーマンスを提供しつつ、設計の簡素化を実現しています」と述べています。

最終製品メーカーは、部品点数（BOM）を削減し、多用途性、高速充電、高出力を実現する新型アダプターの開発方法を模索しています。さらに、多くの場合、複数のポートや種類の接続部を備えた、いわば「フリーサイズ」の充電器を提供しようとしています。これらはすべて、小型軽量のフォームファクターで実現する必要があります。

トランスフォームのノーマリーオフdモードSuperGaNプラットフォームの主なメリットには、クラス最高の堅牢性（+/- 20 Vのゲート マージンと4 Vのノイズ耐性）および信頼性（< 0.05 FIT）、そしてシリコンを50％上回る電力密度向上機能が含まれます。ウェルトレンドの洗練されたなSiP設計は、これらのメリットと独自の革新的テクノロジーを活用し、フォーム ファクター サイズを削減しながら設計を高速化する、ほぼプラグ・アンド・プレイのソリューションを生み出します。

トランスフォームのワールドワイド セールスおよび FAE 担当副社長であるトゥシャー・ダイグーデは、「アダプターと充電器のメーカーのニーズを考慮すると、SiPは重要なデバイス オプションです。これらのシステムには、統合された機能で使いやすい効果的な電力変換が必要ですが、当社は、学習曲線を最小限に抑えつつ迅速な設計を実現します。初めてリリースされたデバイスは、SuperGaN SiPの性能と多用途性を検証しました。 本日発表された新型デバイスは、顧客に選択肢を提供するという両社の取り組みを裏付けています」と述べています。

主な仕様
	WT7162RHUG24A	WT7162RHUG24B (新製品)	WT7162RHUG24C (新製品)
Rds(on)	240 mΩ	150 mΩ	480 mΩ
Vds min	650 V
出力効率	> 93%
出力密度	26 w/in ^3
最大周波数	180 kHz
ワイドオペレーション 電圧オペレーション	USB-C PD 3.0 PPS 3.3V~21V
パッケージ	24ピン 8x8 QFN

主な特徴
特徴	利点
調整可能なGaN FETゲートスルーレート制御	効率とEMI準拠のバランス
外部VDDリニアレギュレータ回路は不要 （700 Vの超HV起動電流はAC電源電圧から直接提供されます）	部品点数の削減
パッケージ インダクタンスの低減	チップのパフォーマンスを最大化
標準の8x8 QFN FFに適合	薄型/小型のシステム設置場所を実現

対象アプリケーションと提供開始磁気

ウェルトレンドのSuperGaN SiPファミリは、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、ヘッドフォン、ドローン、スピーカー、カメラなどのモバイル/IoTデバイス用の高性能かつ薄型USB-C電源アダプタでの使用に最適化されています。

追加デバイスの仕様については、以下のデータシートに詳しく説明されています。

• WT7162RHUG24A（240 mΩ）: http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/610
• WT7162RHUG24B（150 mΩ）: http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/633
• WT7162RHUG24C（480 mΩ）: http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/634

2つの新型デバイス（WT7162RHUG24BおよびWT7162RHUG24C）は、現在サンプルを提供中です。詳細は、[e-mail]までお問い合わせください。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォーム社は、高性能かつ信頼性の高い、高圧電力変換アプリケーション用のGaN系半導体を設計・製造しています。1000を超える所有特許またはライセンス特許を含む最大規模のパワーGaNのIPポートフォリオの1つを有する同社は、業界初の JEDECおよびAEC-Q101認定の高電圧GaN系半導体デバイスを製造しています。また、垂直統合型デバイスビジネスモデルにより、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、あらゆる開発段階でのイノベーションを可能にしています。同社の革新により、パワーエレクトロニクスがシリコンの限界を超え、99%以上の効率、50%高い出力密度、20%のシステムコスト削減を実現します。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、ゴリータと日本の会津に製造拠点を置いています。詳細は、www.transphormusa.comでご覧いただくか、X（@transphormusa）およびWeChat（Transphorm_GaN）でフォローしてください。

ウェルトレンド・セミコンダクター社について

ウェルトレンド・セミコンダクター（TWSE: 2436）は、1989年に「台湾のシリコンバレー」である新竹サイエンス パークに設立され、混合半導体の計画、設計、テスト、アプリケーション開発、販売を専門とする大手ファブレス半導体企業です。電源、モーター制御、画像処理など、複数のアプリケーションにわたる信号/デジタルIC製品を提供しています。 詳細は、www.weltrend.comをご覧ください。

SuperGaNマークは、Transphorm, Inc.の登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。

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