GOLETA, Kalifornien, USA--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – der weltweite Marktführer im Bereich überlegener, quantitativ überragender GaN-Leistungshalbleitern – teilte heute mit, dass das Unternehmen vom National Security Technology Accelerator (NSTXL) einen Auftrag in Höhe von bis zu 15 Millionen US-Dollar erhalten hat. Der Auftrag steht im Zusammenhang mit dem ECLIPSE-Projekt, für das Transphorm hochentwickelte GaN-Epiwafer herstellt. Die Gelegenheit des Unternehmens, an diesem Projekt mitzuwirken, demonstriert die Wettbewerbsfähigkeit von Transphorm durch sein geistiges Eigentum, seine Expertise im Bereich der erweiterten GaN-Materialien sowie seine MOCVD-Fertigungskapazitäten.
Transphorm bringt mehr als zehn Jahre Erfahrung im Design, in der Entwicklung und in der Produktion verschiedener bahnbrechender Hochspannungs-GaN-Plattformen für GaN-Epiwafer mit. Diese Initiativen beinhalten mehrere Vertikalen für die Leistungs- und RF-GaN-Geschäftsfelder des Halbleiterpioniers.
„Der Wert und das Potenzial hochentwickelter GaN-Materialien für eine breite Palette von Anwendungen ist unbestritten. Wir haben mehrere Plattformen mit hoher Leistungsdichte entwickelt, die rekordverdächtige Leistungs- und Effizienzvorteile für Energieumwandlungs- und RF-Anwendungen liefern“, berichtet Umesh Mishra, CTO und Mitgründer von Transphorm. „Bei dieser Innovation zeichnet sich Transphorm durch die enorme Vielseitigkeit seiner Epi-Materialien aus, kombiniert mit seinen überragenden Geräte- und Fertigungskapazitäten. Wir haben intensiv daran gearbeitet, alle Aspekte der GaN-Technologie – also Materialien, Design und Verfahren – weiterzuentwickeln und zu verbessern. Wir freuen uns nun auf die erfolgreiche Umsetzung des ECLIPSE-Programms und werden unsere Kapazitäten zur Bereitstellung hochentwickelter GaN-Epiwafer weiter ausbauen.“
Die Auftragsvergabe wurde vom National Security Technology Accelerator (NSTXL) als OTA (Other Transaction Agreement) durchgeführt.
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte ermöglicht Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.
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