SEOUL, Korea--(BUSINESS WIRE)--Samsung Electronics Co., Ltd. gibt die feierliche Einweihung seines neuen Halbleiter-Forschungs- und Entwicklungskomplexes (NRD-K) auf dem Giheung-Campus bekannt, was einen bedeutenden Schritt in die Zukunft markiert. Rund 100 Gäste, darunter Vertreter von Lieferanten und Kunden, nahmen an der Feier teil, um diesen Meilenstein zu würdigen.
Die hochmoderne Einrichtung NRD-K wurde 2022 gegründet und soll zu einer zentralen Forschungsbasis für Samsungs F&E in den Bereichen Speicher, System-LSI und Foundry-Halbleiter werden. Die fortschrittliche Infrastruktur ermöglicht es, Forschung und Produktverifizierung unter einem Dach zu vereinen. Bis 2030 plant Samsung, rund 20 Billionen KRW in den Komplex zu investieren, der sich über eine Fläche von etwa 109.000 Quadratmetern auf dem Giheung-Campus erstreckt. Darüber hinaus wird der Komplex eine speziell für Forschung und Entwicklung vorgesehene Produktionslinie umfassen, deren Betrieb für Mitte 2025 geplant ist.
„NRD-K wird die Innovationsgeschwindigkeit deutlich steigern und Samsung befähigen, einen nachhaltigen Kreislauf zu etablieren, der sowohl die Grundlagenforschung zu Technologien der nächsten Generation als auch die Massenproduktion beschleunigt. An unserem historischen Standort in Giheung, wo vor 50 Jahren die Erfolgsgeschichte der Samsung-Halbleiter begann, legen wir den Grundstein für weiteren bedeutenden Fortschritt und gestalten eine visionäre Zukunft für die kommenden 100 Jahre“, so Young Hyun Jun, stellvertretender Vorsitzender und Leiter der Device Solutions Division bei Samsung Electronics.
„In einer Zeit, in der gegenseitig vorteilhafte Partnerschaften von zentraler Bedeutung sind, setzt Applied Materials auf eine enge Zusammenarbeit mit Samsung Electronics, um die Innovationsgeschwindigkeit zu steigern und gemeinsam eine neue Wachstumsphase für die Halbleiterindustrie einzuleiten“, sagt Park Gwang-Sun, Leiter von Applied Materials Korea.
Der Samsung-Campus in Giheung, südlich von Seoul, war 1992 der Entwicklungs-Schauplatz des weltweit ersten 64-Megabit-DRAMs – ein Ereignis, das den Grundstein für die führende Rolle des Unternehmens in der Halbleiterbranche legte. Mit der neuen F&E-Einrichtung wird dieser Standort nicht nur sein Vermächtnis als Zentrum bahnbrechender Innovationen fortsetzen, sondern auch die Einführung modernster Prozesstechnologien und Fertigungswerkzeuge maßgeblich vorantreiben.
NRD-K wird mit Hoch-NA-Extrem-Ultraviolett-Lithographie (EUV) und neuen Materialabscheidungsanlagen ausgestattet sein, die die Entwicklung von Speicherhalbleitern der nächsten Generation wie 3D-DRAM und V-NAND mit mehr als 1.000 Schichten beschleunigen sollen. Darüber hinaus ist eine Infrastruktur für Wafer-Bonding mit innovativen Wafer-zu-Wafer-Bonding-Fähigkeiten geplant.
Im dritten Quartal dieses Jahres tätigte Samsung mit 8,87 Billionen KRW eine Rekordinvestition in Forschung und Entwicklung. Das Unternehmen setzt weiterhin alles daran, die Grenzen des Möglichen zu verschieben und seine Wettbewerbsfähigkeit in zukunftsweisenden Technologien wie fortschrittlichem Packaging für die Herstellung von HBM-Speichern (High Bandwidth Memory) zu stärken.
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