GOLETA, Kalifornien, USA--(BUSINESS WIRE)--Silver Partner Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Pionier und weltweiter Anbieter von extrem zuverlässigen, leistungsfähigen Energieumwandlungsprodukten auf Basis von Galliumnitrid (GaN) – wird in seinem Showcase bei der APEC 2023 die weiterhin bestehende Führungsposition des Unternehmens im Bereich der GaN-Energieumwandlung mit breitem Spektrum (von niedriger bis hoher Leistung) demonstrieren. Besucher können Transphorm während des Events vom 19. bis 23. März an Stand 853 erleben.
In diesem Jahr wird Transphorm das erst kürzlich vorgestellte Gerät WT7162RHUG24A präsentieren, das neue SuperGaN® SiP aus einer gemeinsamen Entwicklung mit Weltrend Semiconductor, um das bereits sehr umfangreiche und flexible FET-Portfolio abzurunden. Dieses Gerät bietet Kunden eine weitere Möglichkeit, einfach und schnell mit der leistungsstarken GaN-Plattform von Transphorm zu konstruieren und zugleich die Zahl der Komponenten in der Stückliste und die Gesamtsystemkosten zu reduzieren.
Darüber hinaus wird Transphorm neue, in Produktion befindliche Produkte von führenden globalen Markenkunden aus verschiedenen Märkten vorstellen. APEC-Besucher können mehr über Drop-In- und Ersatzlösungen für bestehende GaN-Leistungsanwendungen erfahren. Und schließlich wird das Unternehmen ein Verbraucherprodukt verlosen, das die GaN-Technologie von Transphorm einsetzt, um eine bahnbrechende Performance zu erreichen.
Eine Kernplattform für das gesamte Leistungsspektrum
Transphorm ist das führende Unternehmen für GaN-Leistungshalbleiter und bietet Technologien mit folgenden Vorteilen:
Herstellbarkeit: Vertikale Integration mit eigenem EPI-Design, Wafer-Prozess und FET Die-Design
Designbarkeit: Renommierte Industriestandard- und Leistungspakete und Kooperation mit Weltmarktführern im Bereich Firmware (Microchip Technology) und Hardware-Integration (Weltrend Semiconductor), um die Konstruktion zu erleichtern
Steuerbarkeit: Ansteuerung wie Silizium, kombinierbar mit handelsüblichen Controllern und Treibern. Nur minimale externe Schaltungen notwendig.
Zuverlässigkeit: Nach wie vor branchenführend mit einer aktuellen FIT-Rate von <0,05 bei mehr als 100 Milliarden Betriebsstunden in Anwendungen mit niedriger bis hoher Leistung
Transphorm unterstützt heute die größte Bandbreite an Leistungsumwandlungsspezifikationen (45 W bis 10 kW und höher) für die unterschiedlichsten Leistungsanwendungen. Das FET-Portfolio des Unternehmens umfasst 650-V- und 900-V-Komponenten – 1200-V-Komponenten sind in der Entwicklung. Diese Geräte sind JEDEC- und AEC-Q101-qualifiziert und somit optimale Lösungen für Netzteile für Elektrogeräte und Computer bis hin zu industriellen USV und Mobilitätssystemen für Elektrofahrzeuge. Die Mischung der auf der APEC gezeigten Kundenprodukte demonstriert die vielfältige Einsetzbarkeit der SuperGaN-Plattform von Transphorm.
Giveaway: Das „Powerfully Petite“ 65W HP USB-C-Ladegerät für Laptops
Standbesucher haben die Chance, einen „Tiny but Mighty“ HP USB-C PD/PPS-Stromadapter auf GaN-Basis zu gewinnen, der über zwei Anschlüsse für gleichzeitiges Schnellladen verfügt. Das HP-Laptop-Ladegerät verwendet den SuperGaN Gen IV TP65H300G4LSG, 650V GaN FET von Transphorm.
Präsentationen mit Redebeiträgen
Experten von Transphorm werden durch folgende Präsentationen führen:
High-Power 650 V and 1200 V GaN Devices for EV Applications
Industry Session (IS03), 21. März um 8.30 Uhr
Redner: Davide Bisi, Mitglied des technischen Personals, Büro des CTO
900V GaN – Designing for Reliability
Industry Session (IS12), 22. März um 9.20 Uhr
Redner: Dr. Likun Shen ist Vice President of Engineering
Treffen Sie uns
Um einen Termin mit Transphorm während der Messe zu vereinbaren, wenden Sie sich bitte an vipin.bothra@transphormusa.com.
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte ermöglicht Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 40 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.
Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.
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