東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--為了實現運用於次世代半導體封裝元件的特殊玻璃載體HRDP®1的商品化，三井金屬礦業株式會社(Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.)（總裁：Keiji Nishida；以下稱「三井金屬」）一直與吉奧馬科技(GEOMATEC Co.，Ltd.)（總裁：Kentaro Matsuzaki）合作，共同擴建大規模生產系統。三井金屬今天欣然宣布，該公司已開始為日本國內一家多晶片模組製造商量產HRDP®。
三井金屬在2018年1月的新聞稿中宣布開發HRDP®，這是一種根據RDL First方法2，使用玻璃載體為扇出型(Fan Out)面板級封裝建立超細電路的材料。
HRDP®是一種特殊的玻璃載體，能夠實現次世代半導體封裝技術-扇出封裝3的高效率生產，包括使用2/2μm或以下4的線寬/線距(L/S)比設計的超高密度電路。目前有20多家客戶正在對HRDP®的商品化進行評估。
第一階段是從2021年1月開始，為日本國內一家多晶片模組製造商進行量產。該客戶將使用HRDP®生產將來不斷擴大的5G市場製造元件，包括RF模組5和各種應用的其他元件，並預期增加營業額。
在第二階段，一家先進的海外封裝製造商計畫在2021會計年度採用HRDP®。
此外，公司還計畫為其他新客戶的各種應用啟動量產，例如2022會計年度及以後的HPC6和手機，而且預期HRDP®市場將進一步擴大。
三井金屬將以「材料智慧」為口號，幫助客戶實現願望，確保穩定的品質和充足的供應，為客戶提供一站式解決方案並努力幫助他們擴大市佔率。
名詞解釋
1 High Resolution De-bondable Panel的縮寫
2 Re-Distribution Layer First方法：在完成形成重佈線層的流程之後封裝半導體晶片
3 扇出封裝：無基板封裝技術，將超細重佈線層擴展到晶片尺寸之外
4 L/S=2/2 µm：線寬2 µm，相鄰線路間距2 µm。
5 射頻模組：配備多個主動元件（IC晶片）和被動元件（SAW、電容器、電阻器和線圈）並密封的產品
6 高效能運算：具有大規模、超高速運算/處理能力的電腦
參考文獻
《開發HRDP®材料以使用玻璃載體為扇出型面板級封裝建立超細電路》（2018年1月25日的新聞稿）
https://www.mitsui-kinzoku.com/Portals/0/resource/uploads/topics_180125e.pdf?TabModule127
有關使用HRDP®的RDL First方法的影片
https://www.youtube.com/watch?v=vHhng-NV9QA
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