Transphorm se centre sur la simplicité et la fiabilité du développement d’application GaN à haute tension au salon PCIM 2019

GOLETA, Californie--()--Transphorm Inc. - le chef de file du design et de la fabrication des semi-conducteurs à nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 900 V de la plus grande fiabilité et premiers à être certifiés JEDEC- et AEC-Q101 - a donné aujourd’hui un aperçu de sa présentation au salon PCIM Europe 2019. Située au Stand 519 du Hall 9, elle s’axera autour de trois points clés pour aider les participants à la conférence à mieux comprendre la proposition de valeur du GaN à haute tension de Transphorm :

  • Fiabilité : Concevez en toute confiance en utilisant des transistors GaN (Q+F) haute qualité et haute fiabilité de Transphorm.
  • Maniabilité : Associez les dispositifs de Transphorm à des moteurs sortis d’usine pour une conduite facilitée.
  • Simplicité : Faites l’expérience de conceptions plus simples grâce à une circuiterie de borne externe minime ainsi que des boîtiers standards, tels que le TO-220, TO-247, et PQFN, avec des techniques de gestion thermique bien connues.

« Au salon PCIM, vous verrez le pinacle de l’innovation de Transphorm avec ses effets mesurables sur les applications clients à faible volume comme à volume élevé, » a déclaré Philip Zuk, vice-président du Marketing technique mondial chez Transphorm. « Nous avons travaillé dur pour réaliser des transistors GaN aux performances excellentes, extrêmement fiables et faciles à utiliser. Ce qui a abouti à l’expédition de dispositifs à GaN de Transphorm dans plusieurs produits de clients. Ce qui nous a permis ensuite de recueillir 3 milliards d'heures de données de fiabilité sur le terrain pour valider la qualité et la fiabilité de notre GaN - pour que les clients puissent concevoir en toute confiance. »

Points forts des produits exposés :

Qualité + Fiabilité
Transphorm a publié le premier jeu de données Q+F complet de l’industrie, incluant la défaillance prématurée (Early Lifetime [ELF]), les données de fiabilité sur le terrain, et les taux de défaillance dans le temps (Failure in Time, FIT), alignés sur des technologies plus matures telles que la technologie SiC. Cette Q+F élevée est davantage validée par le dispositif (automobile) certifié AEC-Q101 sorti récemment - le TP65H035WSQA - proposé à 175°C.

Cartes d’évaluation et conception de référence
Les affichages incluent :

  • Demi-pont à commutateur solide 2 kW CC à CC
  • Convertisseur LLC 1,2 kW CC à CC
  • Conception de référence PFC en totem pôle sans pont de 3,3 kW
    (Plateforme efficace pour concevoir des convertisseurs PFC basés sur DSP à haute efficacité.)

Cas d’utilisation de client en production
Les cas d’utilisation démontreront les effets quantitatifs et qualitatifs de la plateforme GaN de Transphorm au sein de diverses applications finales depuis les alimentations électriques industrielles robustes et étendues jusqu’aux solutions de charge de batterie à volume élevé.

À propos de Transphorm

Possédant l’un des plus importants portefeuilles IP Power GaN (plus de 1 000 brevets déjà émis ou en instance dans le monde entier), Transphorm fabrique, conçoit et produit les seuls FET GaN certifiés JEDEC et AEC-Q101 du secteur.

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

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Contact presse :
Heather Ailara
211 Communications
Tél : +1.973.567.6040
heather@211comms.com

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