NextPower 100V 功率 MOSFET 具低 Qrr 值和175°C 高温指标

新一代器件改善了开关效率，提高了可靠性并降低了 EMI

奈梅亨--(BUSINESS WIRE)--Nexperia (其前身为恩智浦的标准产品部门) 今天宣布推出其功率 MOSFET 产品NextPower 100 V 系列。该产品系列具备低反向恢复电荷 (Q_rr)，且包括以 LFPAK56 (PowerSO8) 封装（结温可达到175°C）的器件。

NextPower 100 V MOSFET 是Nexperia 针对高效开关和高可靠应用的最新一代器件。其具备低 50% 的 RDS(on) 值和强大的雪崩能量指标，因而是电源、电信和工业应用方面的理想选择，尤其适合用于 USB-PD、Type-C充电器和转换器及 48 V DC-DC 转换器。该器件具备低体二极管损耗，其 Q_rr 值低至 50 纳库伦 (nC) - 导致较低的反向恢复电流 (IRR)，较低的电压尖峰 (Vpeak) 及降低的振铃纹波（有利于进一步优化死区时间）。

功率MOSFET产品经理 Mike Becker 先生表示: “Q_rr 值是常常被关注的参数，该参数对许多设计方面有重大影响。低的尖峰意味着EMI 降低了，同时优化的死区时间进一步实现了的效率增益。这也是我们在Nexperia 所追求的。我们已经展示了低 QRR 值对这两项功能都是有益的。”

新型NextPower 100 V MOSFET有三种可用的封装形式：TO220 和 I2PAK插件封装，及流行的LFPAK56 封装 (贴片封装)。所有封装形式的器件都具备 175°C 的 Tj(max) ，且完全符合 IPC9592 扩展温度要求，因而使NextPower 100 V MOSFET 特别适合于电信和计算方面的应用。

NextPower MOSFET 器件现已量产，可供货。请访问 https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/qrr-overlooked-and-underappreciated-in-efficiency-battle.html

关于 Nexperia

Nexperia 是全球领先的分立元件、逻辑元件与 MOSFET 元件的专业制造商，其前身为恩智浦的标准产品部门，于 2017 年初开始独立运营。Nexperia 注重效率，生产稳定可靠的半导体元件，年产量高达850 亿颗，其很多产品系列符合汽车产业的严格标准。Nexperia 工厂生产的小型封装也是业内领先，不仅具有较高的功率与热效率，还是同类品质之最。

五十多年来，Nexperia 一直为全球各地的大型公司提供优质产品，并在亚洲、欧洲和美国拥有 11,000 名员工。该公司拥有庞大的知识产权组合，并获得了 ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001 和 OHSAS18001 认证。

Nexperia：效率取胜。