東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)已推出搭載高效率靜電放電保護的雙MOSFET SSM6N813R,該產品適用於需要耐高電壓和小尺寸的汽車應用,包括LED頭燈驅動器IC。量產出貨將於四月啟動。
100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保SSM6N813R適用於需要多個LED的頭燈應用,高靜電放電抗擾度為這一能力提供支援。SSM6N813R採用最新製程製造,使用 TSOP6F封裝,具備1.5W的允許功耗和低導通電阻。此外,TSOP6F的封裝尺寸比SOP8封裝小70%。
應用場合
- 汽車LED頭燈驅動器
特點
- 小型封裝
- 高效率靜電放電保護
- 低RDS(ON)
主要規格 |
||||||
(@Ta=25℃) | ||||||
項目 (Ta=25℃) |
SSM6N813R | |||||
絕對最大額定值 |
漏源極電壓 VDSS (V) |
100 | ||||
閘源極電壓 VGSS (V) |
+/-20 | |||||
漏極電流 ID (A) |
3.5 | |||||
電氣特性 |
漏源極導通電阻 RDS(ON)最大值 (mΩ) |
VGS=10V | 112 | |||
VGS=4.5V | 154 | |||||
輸入電容 Ciss典型值(pF) |
242 | |||||
封裝 | TSOP6F | 2.9mm×2.8mm;t=0.8mm | ||||
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