東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したMOSFET「SSM6N357R」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。
新製品は、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。
さらに、新製品はデュアルタイプパッケージ(2in1)を採用しており、当社シングルタイプパッケージ品「SSM3K357R」(2.4 x 2.9 x 0.8 mm)を2個使用する場合と比較して、実装面積を42%程度低減します。
また、業界標準のTSOP6Fクラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適合により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。
応用機器
- 車載向け リレー、ソレノイド駆動用
- 産業向け リレー、ソレノイド駆動用
- OA機器向け クラッチ駆動用
新製品の主な特長
- 周辺部品の削減が可能
- 3.0V低電圧動作
- デュアルパッケージ品 (2 in 1)
- AEC-Q101適合
新製品の主な仕様 |
||||||
(@Ta=25℃) |
||||||
項目 | 特性 | |||||
絶対最大定格 |
ドレイン・ソース間電圧
VDSS (V) |
60 | ||||
ゲート・ソース間電圧
VGSS (V) |
±12 | |||||
ドレイン電流
ID (A) |
0.65 | |||||
電気的特性 |
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON) max (mΩ) |
|VGS|=3.0V | 2400 | |||
|VGS|=5.0V | 1800 | |||||
ゲート入力電荷量
Qg typ. (nC) |
1.5 | |||||
入力容量
Ciss typ. (pF) |
43 | |||||
パッケージ | TSOP6F | 2.9mm×2.8mm; t=0.8mm | ||||
当社の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html
*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。