東芝:最新プロセスを採用した新世代トランジスタ・アレイシリーズの開発について

DMOS注1 FET出力の採用により高効率なトランジスタ・アレイをラインアップ

東京--()--(ビジネスワイヤ) -- 東芝は、モータ駆動、リレー駆動、LED駆動など幅広い用途に用いられてきたバイポーラトランジスタ型 トランジスタ・アレイ「TD62xxxシリーズ」の後継品として、最新のDMOS FET型出力を持つBiCD注2トランジスタ・アレイ「TB62xxxAシリーズ」を開発しており、2015年6月にサンプル出荷を予定しています。

新製品は、従来のバイポーラ型トランジスタを使用した製品と比較して、入力電流の低減やスイッチングの高速化により、電力効率の改善に貢献します。

東芝は、中耐圧(50V程度)の100種類以上のラインナップを持つ従来のバイポーラトランジスタ型トランジスタ・アレイ「TD62xxxシリーズ」を40年以上にわたり供給してきました。昨今、お客様から、時代の流れとしてバイポーラでは無くMOSFETタイプのアレイの要望を多くいただき、今後の標準技術であるBiCDプロセスを採用したトランジスタ・アレイの開発に着手したものです。

今月から製品開発を開始し、最初に既存「TD62003A」の後継品「TB62003A」を2015年6月からサンプル・量産出荷する予定です。以降、「TB62xxxAシリーズ」製品を6か月に2製品ずつのペースでリリースし、最終的には12製品以上のラインナップを計画しています。

新製品の主な概要

  • 製造プロセス:最新の130nmのBiCDプロセスを使用
  • 製品耐圧:既存トランジスタ・アレイと同じ50V
  • 外囲器:既存トランジスタ・アレイと同じパッケージを使用、ピン配置も同等
  • 定格電流:500mA(TB62003Aの場合:既存トランジスタ・アレイと同等)
  • ファンクション:既存トランジスタ・アレイと同等
  • 製品名称:TD62xxxAシリーズからTB62xxxAシリーズへ変更(名称付与ルールも変更)

注1:DMOS FET:Double-Diffused MOSFETの略称
注2:Bipolar,CMOS,DMOSを混載できるプロセス

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ミックスドシグナルIC営業推進部 Tel:044-548-2821

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報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
株式会社東芝 セミコンダクター&ストレージ社
長沢 千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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