TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) Semiconductor & Storage Products Company anunció hoy que expandirá su familia de diodos barrera schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) de 650 V con la adición de productos de aislamiento del paquete de TO-220F-2L. Los 4 nuevos productos expanden las líneas de 6 A, 8 A, 10 A y 12 A de los productos actuales del paquete TO-220-2L. Los envíos de la producción en masa comienzan hoy.
Los SBD son aptos para aplicaciones que incluyen suministros de energía de servidor y acondicionadores de potencia para sistemas de generación de energía fotovoltaica. Los SBD también pueden actuar como reemplazos para los diodos de silicio en las fuentes de alimentación de conmutación, donde son un 50 % más eficaces (encuesta de Toshiba).
Los dispositivos de potencia SiC ofrecen un funcionamiento más estable que los dispositivos de silicio actuales, aún a voltajes y corrientes elevados, ya que reducen, significativamente, la disipación del calor durante la operación. Satisfacen diversas necesidades de la industria para dispositivos de comunicación más pequeños y eficaces, y se adaptan a aplicaciones industriales que van desde servidores hasta inversores.
Especificaciones principales de los nuevos productos |
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Número de Pieza |
VRRM |
IF |
VF (V) | IRRM (μA) | Paquete | |||||
típ./máx. | típ./máx. | |||||||||
TRS6A65C | 650 | 6 | 1,5 / 1,7 | 0,3 / 90 | TO-220F-2L | |||||
TRS8A65C | 650 | 8 | 1,5 / 1,7 | 0,4 / 90 | ||||||
TRS10A65C | 650 | 10 | 1,5 / 1,7 | 0,42 / 90 | ||||||
TRS12A65C | 650 | 12 | 1,54 / 1,7 | 0,45 / 90 |
Línea Actual |
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Número de Pieza |
VRRM |
IF |
VF (V) | IRRM (μA) | Paquete | |||||
típ./máx. | típ./máx. | |||||||||
TRS6E65C | 650 | 6 | 1,5 / 1,7 | 0,3 / 90 | TO-220-2L | |||||
TRS8E65C | 650 | 8 | 1,5 / 1,7 | 0,4 / 90 | ||||||
TRS10E65C | 650 | 10 | 1,5 / 1,7 | 0,42 / 90 | ||||||
TRS12E65C | 650 | 12 | 1,54 / 1,7 | 0,45 / 90 | ||||||
TRS12N65C | 650 | 12 | 1,5 / 1,7 | 0,3 / 90 | TO-247 | |||||
TRS16N65C | 650 | 16 | 1,5 / 1,7 | 0,4 / 90 | ||||||
TRS20N65C | 650 | 20 | 1,5 / 1,7 | 0,42 / 90 | ||||||
TRS24N65C | 650 | 24 | 1,5 / 1,7 | 0,43 / 90 | ||||||
Siga este enlace para obtener más información sobre los diodos barrera
schottky de Toshiba.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/diode/sic/index.html
Consultas de Clientes:
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Dispositivos de Potencia
Tel.: +81-3-3457-3416
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