Toshiba introduce la serie MOSFET “DTMOS IV” superacomplamiento para sistema de 650 V

Realiza un desempeño de baja resistencia de encendido de primer nivel¹

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que lanzó la 4.^a generación de sus MOSFET de superacoplamiento, la serie “DTMOS IV” de dispositivos de 650 V. El “TK14A65W” fue lanzado como el producto inicial de la serie y la producción en masa a escala completa está programada para comenzar en agosto de 2013.
Al utilizar el último proceso epitaxial individual, la serie reduce la Ron·A (resistencia en encendido por área) en, aproximadamente, el 50 %² en comparación con la serie “DTMOS II” de 650 V existente. Esto permite una línea de paquetes pequeños, lo que contribuye a mejorar la eficiencia energética y reducir el tamaño de los productos en los que se integra.

Especificaciones principales
Número de pieza	Paquete	Potencia máxima absoluta		RDS(ON) Máx. (Ω)	Qg Típ. (nC)	Ciss (Típ.) (pF)
		VDSS (V)	ID (A)	VGS = 10 V
TK14A65W	TO-220SIS	650	13,7	0,25	35	1300

Notas:
[1] A julio de 2013. Investigación por Toshiba Corporation.
[2] Comparado con “TK17A65U”.

Para obtener más información sobre el producto, vea la página del producto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324030_37649.html

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