TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) agregó productos de diodos de protección contra descarga electroestática (electrostatic discharge, ESD) del tipo de flujo de múltiples bits (2 y 4 bits) a sus series de velocidad extremadamente alta de baja capacitancia y baja tensión de fijación. Los nuevos productos, DF6D7M1N (2-bit) y DF10G7M1N (4-bit), alcanzan múltiples diodos mientras mantienen la calidad de la señal obtenida por la capa de flujo de baja inductancia. Ya se dispone de muestras y se programa la producción en masa para finales de diciembre.
Aplicaciones
Protección contra ESD
para USB 3.0 y otras interfaces
Características clave
1. Tipo de flujo
de múltiples bits
2. Baja tensión de fijación: VC = 12 V
(típico) en cumplimiento con IEC61000-4-5 (IPP = 1A)
3.
Adecuados para líneas de señal de alta velocidad: Ct = 0,3 pF
(típico)
4. Nivel de inmunidad contra ESD: ± 8 kV garantizado al
cumplimiento con IEC61000-4-2 (contacto)
5. Paquetes pequeños
DF6D7M1N (2-bit): Paquete DFN6 (1,25 mm x 1,0 mm x 0,5 mm)
DF10G7M1N
(4-bit): Paquete DFN10 (2,5 mm x 1,0 mm x 0,5 mm)
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Especificaciones principales |
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| Artículo | Valor | |
| Tensión inversa pico (VRRM) | 5,0 V | |
| Tensión de ruptura inversa (VBR) | 6,0 V (mín.) @IBR = 1 mA | |
| Corriente inversa (IR) | 0,5 μA (máx.) @VRWM = 5V | |
| Capacitancia del diodo (Ct) | 0.3 pF (típico) @VR = 0V, f = 1 MHz | |
| Tensión de fijación (VC) | 12 V (típico) @IPP = 1A | |
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http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/diode/selection/topics/1266096_2381.html
Acerca de Toshiba
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