TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy el desarrollo de un modelo de simulador MOS-Varactor1 compacto que proporciona un gran nivel de exactitud de CC a la región de onda milimétrica (60 GHz). El nuevo modelo fue desarrollado en cooperación con el Profesor Nobuyuki Itoh de la Universidad de la Prefectura de Okayama.
El nuevo modelo MOS-Varactor compacto introduce un algoritmo original para expresar los efectos del escalamiento y puede capturar los impactos de los efectos parasíticos que dominan la región de 60 GHz. Para el modelo se utilizaron parámetros de medición de 1 MHz a 60 GHz para muestras con tamaños de celdas distintos. En general, no es fácil expresar el MOS-Varactor con un solo modelo, pero este modelo recientemente desarrollado lo logra con todo éxito.
La captura exacta por parte del modelo nuevo de los efectos parasíticos soporta la realización del bajo consumo de energía en productos RF-CMOS y Toshiba utilizará una tecnología básica para desarrollar esos chips, dispositivos clave de la División de circuitos integrados analógicos y de imágenes de la compañía. Sobre la base del trabajo realizado hasta ahora, Toshiba espera asegurar una simulación exacta de los circuitos de onda milimétrica CMOS en el futuro.
El nuevo modelo fue verificado con muestras con longitudes de celda que van desde 0,26 um a 2,0 um, formados con la tecnología RF-CMOS de 65nm de Toshiba. Se logró una exactitud muy buena para todos los tamaños de celda desde CC a 67 GHz.
La verificación de este modelo se llevó a cabo en un circuito de 60 GHz. Se midió la dependencia del nivel de ruido de fase sobre la tensión de control del VCO de 60 GHz y se la comparó con una simulación de circuito, usando este modelo en el bloqueo de ajuste de frecuencia. Se comprobó que la exactitud de la medición era 8 dB mejor que con el modelo convencional2.
Se presentó a estos resultados de desarrollo en APMC, la Conferencia de Microondas Asia-Pacífico que tuvo lugar en Taiwán entre el 4 y el 7 de diciembre.
1. MOS (semiconductor de óxido metálico)-Varactor es un dispositivo plano, fabricado de manera convencional con la tecnología CMOS (semiconductor de óxido metálico complementario). Por lo general, se lo utiliza ampliamente en el bloqueo de ajuste de frecuencia de los circuitos CMOS VCO (oscilador de tensión controlado).
2. BSIM (Modelo IGFET de canal corto de Berkeley) es el modelo convencional que se utiliza generalmente en la simulación del MOS-Varactor. Fue desarrollado por la Universidad de California, en Berkeley.
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