TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha lanzado el nuevo MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor) de baja resistencia de encendido, TPN2R503NC, fabricado con el último proceso de octava generación, para usar en circuitos de protección de baterías de iones de litio e interruptores de gestión de alimentación de teléfonos celulares. También se han agregado otros dos productos de octava generación, el TPN4R203NC y el TPN6R303NC, a la línea de sucesores de los modelos existentes. Los tres productos pueden contribuir a la reducción del grosor y del tamaño general del dispositivo y mejorar la eficiencia.
Aplicaciones
1. Circuitos de protección de baterías de iones de litio
2. Interruptores de gestión de alimentación de teléfonos celulares
Características clave
1. Baja resistencia de encendido sobre el Toshiba existente garantizado con el último proceso de octava generación.
2. Paquete de avance TSON, que ofrece buen rendimiento en la irradiación del calor
3. Alta resistencia a la avalancha.
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Especificaciones principales de los nuevos productos |
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| Número de parte | VDSS(V) | VGSS(V) |
RDS(ON) (mΩ) |
Paquete | ||||||||||
| VGS = 10 V | VGS = 4,5 V | |||||||||||||
| Típico | Máximo | Típico | Máximo | |||||||||||
| TPN2R503NC | 30 | ± 20 | 2,1 | 2,5 | 3,2 | 4,1 | Avance TSON | |||||||
| TPN4R203NC | 3,5 | 4,2 | 5,1 | 6,4 | ||||||||||
| TPN6R303NC | 5,2 | 6,3 | 6,9 | 8,4 | ||||||||||
*Siga este enlace para obtener más información sobre el producto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1265359_2470.html
Acerca de Toshiba
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