TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een wereldleider in geheugenoplossingen, kondigde vandaag aan dat het OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM) heeft ontwikkeld. Het gaat om een nieuw type 4F 2 DRAM, dat bestaat uit een oxide-semiconductortransistor die tegelijkertijd een hoge AAN-stroom en een ultralage UIT-stroom heeft. Naar verwachting zal deze technologie een DRAM met een laag stroomverbruik zal realiseren door de ultralage lekkage-eigenschap van de InGaZnO transistor te benutten. Dit werd voor het eerst aangekondigd op de IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco, CA, op 9 december 2024. Het project werd gezamenlijk ontwikkeld door Nanya Technology en Kioxia Corporation.
Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.
