DNP atteint une résolution de motif fine sur les photomasques de lithographie EUV pour la génération au-delà de 2 nm

La société commence à fournir des échantillons de photomasques EUV à haute ouverture numérique pour les semi-conducteurs de nouvelle génération

Image of photomask for beyond 2nm generation EUV lithography (Photo: Business Wire)

TOKYO--()--Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO : 7912) a réussi à atteindre la résolution de motif fine requise pour les masques photographiques destinés aux semi-conducteurs logiques de la génération au-delà de 2 nm (nm : 10-9 mètre)1 qui prennent en charge la lithographie dans l’extrême ultraviolet (EUV), un processus de pointe dans la fabrication des semi-conducteurs.

DNP a également achevé l’évaluation des critères pour les photomasques compatibles à haute ouverture numérique2, l’application envisagée pour les semi-conducteurs de nouvelle génération au-delà de la génération 2 nm, et a commencé à fournir des photomasques d’évaluation. La lithographie EUV à haute ouverture numérique permet de former des motifs fins sur des tranches de silicium avec une résolution plus élevée qu’auparavant, et devrait conduire à la réalisation de semi-conducteurs à haute performance et à faible consommation d’énergie.

[Développement]

  • La réalisation de photomasques pour la lithographie EUV au-delà de la génération 2 nm nécessite des motifs 20 % plus petits que ceux de la génération 3 nm. Cela concerne non seulement la taille et la forme des motifs, mais aussi la technologie nécessaire pour résoudre des motifs fins de tous types sur la face d’un même masque. Il s’agit non seulement de motifs droits et rectangulaires standards, mais aussi de motifs courbes de plus en plus complexes. DNP a atteint la résolution de motif requise pour la génération au-delà de 2 nm en apportant des améliorations répétées basées sur le processus de fabrication de la génération 3 nm.
  • Les photomasques pour la lithographie EUV à haute ouverture numérique exigent une plus grande précision et un traitement plus fin que ceux destinés à la lithographie EUV standard. DNP a établi et optimisé un processus de fabrication qui diffère de celui des photomasques de lithographie EUV conventionnelle.

[Plans futurs]

DNP continuera à établir des technologies de production dans le but de commencer la production de masse de photomasques pour les semi-conducteurs logiques de la génération 2 nm au cours de l’exercice 2027.

Nous continuerons également à coopérer avec imec pour promouvoir le développement de technologies de fabrication de photomasques en vue de la génération 1 nm.

1 : conforme aux normes IRDS

2 : l’ouverture numérique (NA) est un nombre qui indique la luminosité et la résolution d’un système optique. Une NA élevée fait référence à l’augmentation de l’ouverture numérique de la lentille de l’équipement d’exposition EUV, qui passe de la valeur conventionnelle de 0,33 à 0,55.

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À propos de DNP

DNP a été créé en 1876 et est devenu une entreprise mondiale de premier plan qui tire parti de solutions d’impression pour créer de nouvelles opportunités commerciales tout en protégeant l’environnement et en créant un monde plus dynamique pour tous. Nous capitalisons sur nos compétences de base en matière de technologie de microfabrication et de revêtement de précision pour fournir des produits destinés aux marchés des écrans, des appareils électroniques et des films optiques. Nous avons également développé de nouveaux produits, tels que des chambres à vapeur et des réseaux réfléchissants, qui offrent des solutions de communication de nouvelle génération pour une société de l’information plus conviviale.

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Contacts

Contact médias
DNP : Yusuke Kitagawa, +81-3-6735-0101
kitagawa-y3@mail.dnp.co.jp

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