TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Die Kioxia Corporation, ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, gab heute bekannt, dass die Forschungsarbeiten des Unternehmens zur Präsentation auf dem IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 angenommen wurden, einer renommierten internationalen Konferenz, die vom 7. bis 11. Dezember in San Francisco, USA, stattfindet.
Kioxia engagiert sich für die Forschung und Entwicklung von Halbleiterspeichern, die für die Weiterentwicklung der KI und die digitale Transformation der Gesellschaft unerlässlich sind. Neben seiner hochmodernen dreidimensionalen (3D) Flash-Speichertechnologie BiCS FLASH™ zeichnet sich Kioxia durch seine Forschung im Bereich neuartiger Speicherlösungen aus. Das Unternehmen ist ständig bestrebt, den Bedarf an zukünftigen Computer- und Speichersystemen mit innovativen Speicherprodukten zu decken.
Bestehende Computersysteme nutzen DRAM, ein primäres Speichermedium, das es der CPU ermöglicht, Daten schnell zu verarbeiten, sowie Flash-Speicher für die Speicherung umfangreicher Daten. Kioxia ist führend in der Forschung und Entwicklung von Storage Class Memory (SCM), einer Speicherlösung, die in der Halbleiterspeicherhierarchie zwischen DRAM und Flash-Speicher angesiedelt ist und für die Verarbeitung größerer Datenmengen als DRAM und mit höherer Geschwindigkeit als Flash-Speicher ausgelegt ist.
Auf der IEDM wird Kioxia innovative Technologien vorstellen, die auf jede dieser drei Halbleiterspeicherebenen zugeschnitten sind: (1) ein neuer DRAM-Typ, der Oxidhalbleiter verwendet und auf die Reduzierung des Stromverbrauchs abzielt, (2) MRAM, das für größere Kapazitäten für SCM-Anwendungen geeignet ist, und (3) eine neuartige Struktur eines 3D-Flash-Speichers mit überlegener Bitdichte und Leistung.
Neue Speichertechnologien:
1. Oxid-Halbleiter-Kanal-Transistor-DRAM (OCTRAM) : Diese Technologie wurde gemeinsam von Nanya Technology und Kioxia Corporation entwickelt. Die Unternehmen entwickelten einen vertikalen Transistor, der die Schaltungsintegration durch Verbesserung des Herstellungsprozesses verbessert. Die Unternehmen erreichten einen extrem niedrigen Leckstrom, indem sie die Eigenschaften des Transistors mithilfe eines Oxid-Halbleiters herausstellten. Dies kann den Stromverbrauch in einer Vielzahl von Anwendungen, einschließlich KI- und Post-5G-Kommunikationssystemen sowie IoT-Produkten, potenziell senken.
Titel des Papiers: Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) with 4F2 Architecture (Oxid-Halbleiter-Kanal-Transistor-DRAM (OCTRAM) mit 4F2-Architektur) (Papiernummer: 6-1)
2. Hochkapazitive Kreuzpunkt-MRAM-Technologie : Diese Technologie wurde gemeinsam von SK hynix Inc. und Kioxia Corporation entwickelt. Mit dieser Technologie erreichten die Unternehmen einen Lese-/Schreibbetrieb auf Zellebene im bisher kleinsten Maßstab von 20,5 Nanometern für MRAM, indem sie eine Zellentechnologie kombinierten, die Selektoren, die für große Kapazitäten geeignet sind, mit magnetischen Tunnelkontakten verbindet, und eine Feinverarbeitungstechnologie für kreuzpunktartige Arrays anwendeten. Die Zuverlässigkeit von Speichern nimmt tendenziell ab, wenn Zellen verkleinert werden. Die Unternehmen entwickelten eine potenzielle Lösung, indem sie eine neue Auslesemethode verwendeten, die die transiente Reaktion von Selektoren nutzt, und indem sie die parasitäre Kapazität von Ausleseschaltungen reduzierten. Diese Technologie hat praktische Anwendungen für KI und die Verarbeitung großer Datenmengen.
Titel des Papiers: Reliable memory operation with low read disturb rate in the world smallest 1Selector-1MTJ cell for 64 Gb cross-point MRAM (Zuverlässiger Speicherbetrieb mit niedriger Lesestörrate in der weltweit kleinsten 1Selector-1MTJ-Zelle für 64-Gb-Cross-Point-MRAM) (Papiernummer: 20-1)
3. 3D-Speichertechnologie der nächsten Generation mit horizontaler Zellstapelstruktur : Kioxia hat eine neue 3D-Struktur entwickelt, um die Zuverlässigkeit zu verbessern und eine Verschlechterung der Leistung von NAND-Zellen zu verhindern. Eine Leistungsminderung tritt normalerweise auf, wenn die Anzahl der gestapelten Schichten in herkömmlichen Strukturen zunimmt. Bei der neuen Struktur werden NAND-Zellen horizontal angeordnet, indem sie gestapelt werden, im Gegensatz zur herkömmlichen Struktur, bei der NAND-Zellen vertikal angeordnet werden. Diese Struktur ermöglicht die Realisierung von 3D-Flash-Speichern mit hoher Bitdichte und Zuverlässigkeit zu niedrigen Kosten.
Titel des Papiers: Superior Scalability of Advanced Horizontal Channel Flash For Future Generations of 3D Flash Memory (Überlegene Skalierbarkeit von Advanced Horizontal Channel Flash für zukünftige Generationen von 3D-Flash-Speichern) (Papiernummer: 30-1)
Weitere Einzelheiten über IEDM finden Sie unter: https://www.ieee-iedm.org/
Im Rahmen seiner Mission „Uplifting the world with ‚memory‘“ strebt Kioxia danach, mit der Speichertechnologie eine neue Ära einzuleiten, und wird weiterhin Forschung und technologische Entwicklung fördern, um die Zukunft der digitalen Gesellschaft zu unterstützen.
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Über Kioxia
Kioxia ist ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, der sich auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Flash-Speichern und Solid-State-Drives (SSD) spezialisiert hat. Im April 2017 wurde der Vorgänger Toshiba Memory aus der Toshiba Corporation ausgegliedert, der Firma, die 1987 den NAND-Flash-Speicher erfunden hatte. Kioxia hat es sich zur Aufgabe gemacht, die Welt mithilfe von Speicherprodukten zu bereichern, indem das Unternehmen Produkte, Dienstleistungen und Systeme anbietet, die eine Auswahl für die Kunden und einen speicherbasierten Nutzen für die Gesellschaft schaffen. Die innovative 3D-Flash-Speichertechnologie von Kioxia, BiCS FLASH™, prägt die Zukunft der Datenspeicherung in Anwendungen mit hoher Speicherdichte, darunter fortschrittliche Smartphones, PCs, SSD, Automobile und Rechenzentren.
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