TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que lanzó una serie nueva de MOSFET de alta tensión, la serie "πMOS VIII", e introdujo "TK9J90E" como el producto inicial de la serie. La producción en masa está programada para comenzar en agosto de 2013.
La optimización del diseño del chip reduce la Ron·A (resistencia en encendido por área) en aproximadamente 24 % en comparación con un producto1 con una tensión equivalente. La reducción del desempeño de la Qg (carga de compuerta) en un 24 % mejora el tiempo de apagado (toff) en aproximadamente el 28 %.
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Especificaciones Principales |
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| Número de Pieza | Paquete | Potencia Máxima Absoluta | RDS(ON) Máx. (Ω) |
Qg Típ. (nC) |
Ciss Típ. (pF) |
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| VDSS (V) | ID (A) | VGS=10 V | ||||||||||
| TK9J90E | TO-3P(N) | 900 | 9 | 1,3 | 46 | 2000 | ||||||
Nota:
1. En comparación con "2SK3878".
Para más información sobre el producto, vea la página del producto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324090_37649.html
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