TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que expandió su línea de MOSFET de canal N de baja tensión, que se utilizan en circuitos de protección para baterías de ión litio e interruptores de gestión de energía de equipos móviles, con el "TPN2R203NC". Fabricado con un proceso de octava generación, el TPN2R203NC logra baja resistencia de encendido, lo que reduce la pérdida de conducción en el equipo.
| Características principales | ||
| 1. |
El proceso de octava generación logra baja resistencia de encendido. |
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| 2. | Paquete avance TSON con buena conductividad térmica. | |
| 3. | Alta resistencia a la avalancha. | |
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Especificaciones principales |
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| Número de pieza | Paquete | VDSS (V) | RDS(ON) (mΩ) | |||||||||
| VGS = 10 V | VGS = 4,5 V | |||||||||||
| Típico | Máximo | Típico | Máximo | |||||||||
| TPN2R203NC | Avance TSON | 30 | 1,8 | 2,2 | 2,8 | 3,6 | ||||||
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http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324089_37649.html
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