Toshiba Expande su Línea de MOSFET de Potencia para Estaciones de Base y Servidores

Lanza productos de 60V con un desempeño de baja resistencia en encendido de primera clase^[1] y conmutación de alta velocidad

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el agregado de productos con tensión de 60V a su línea de MOSFET de potencia para transformadores DC-DC con fines generales que se utilizan en estaciones de base y servidores. Los productos usan la estructura de trinchera de baja tensión de octava generación y logran la clase más alta^[1] de baja resistencia de encendido y conmutación de alta velocidad. La producción en masa comienza hoy.

Características clave
1.	Utiliza la estructura de trinchera de baja tensión de 8^a generación y logra baja resistencia de encendido de primera clase^[1]
2.	Logra baja resistencia de puerta interna y baja relación de capacidad de puerta (Cgd/Cgs), lo que contribuye a la prevención del fenómeno de auto encendido.

Especificaciones principales
Paquete	Número de pieza	VDSS (V)	RDS(ON) (mΩ)				Crss (Típ.) (pF)	Crss (Típ.) (pF)	Crss (Típ.) (pF)	Qg (VGS=10V) (Típ.) (nC)	rg (Típ.) (Ω)
			VGS = 10 V		VGS = 4,5 V
			Típico	Máximo	Típico	Máximo
Avance TSON	TPN11006NL	60	9,6	11,4	12,8	17	23	1500	350	23	0,6
SOP de avance	TPH11006NL	60	9,6	11,4	12,8	17	23	1500	350	23	0,6

*Siga este enlace para obtener más información sobre este producto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1323990_37649.html

Nota
1. Fuente: Toshiba Corporation, junio de 2013.

Consultas de Clientes:
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Acerca de Toshiba

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