Toshiba Lanza el Nuevo MOSFET "SSM3K337R" para Controladores de Relé

La estructura de enganche activa impide la sobretensión cuando se apaga la carga inductiva.

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy que lanzó un MOSFET, "SSM3K337R", para controladores de relé. El nuevo dispositivo usa una estructura de enganche activa que impide la sobretensión cuando se apaga la carga inductiva de los dispositivos de relé. Ya están disponibles las muestras y la producción masiva está programada para comenzar en septiembre.
La demanda de controladores de relé está creciendo para los automóviles, debido a que está aumentando la cantidad de componentes eléctricos con que se equipa a los automóviles.
El "SSM3K337R" reduce la resistencia de encendido a la mitad y mejora la disipación de potencia permitida en aproximadamente 1,6 veces en comparación con los productos equivalentes.

Características principales
1.	La estructura de enganche activo reduce el estrés de la carga inductiva de los dispositivos de relé.
2.	La resistencia de encendido se reduce a la mitad.
3.	La disipación de potencia permitida se mejora unas 1,6 veces, con el paquete SOT-23F.

Especificaciones principales
Paquete	Número de pieza	VDSS (V)	VGSS (V)	ID(DC) (A)	RDS(ON) tipo (mΩ)			Ciss (pF)	Qg @2A (nC)
					VGS=4V	VGS = 4,5 V	VGS = 10 V
SOT-23F 2,9 x 2,8 mm	SSM3K337R	38	± 20	2	161	155	135	120	3,6

Para más información sobre el producto, vea la página del producto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1323380_37649.html

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Acerca de Toshiba

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