TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) lanzó un nuevo MOSFET de baja resistencia en encendido y baja pérdida de energía con el último proceso TrenchMOS como un adición a la línea MOSFET para aplicaciones automotrices. El nuevo producto, "TK100S04N1L", logra baja resistencia en encendido con una combinación del último chip de proceso TrenchMOS de octava generación "serie U-MOS VIII-H" y el paquete "DPAK+" que utiliza conectores de cobre. El producto está especialmente adaptado para aplicaciones automotrices, sobre todo las que exigen conmutación de alta velocidad, como accionamiento de motores y reguladores de conmutación. Ya están disponibles las muestras y la producción en masa está prevista para comenzar en marzo de 2013.
| Polaridad | Número de pieza |
Tensión de drenaje-fuente |
Corriente de drenaje |
Serie | ||||
| Nch | TK100S04N1L | 40 | 100 | U-MOS VIII-H | ||||
| Características clave |
| 1. Baja resistencia en encendido: RDS(ON) = 1.9 mΩ (típico) (VGS=10V) |
| 2. Baja pérdida de corriente: IDSS=10μA (máx.) (VDS=voltaje nominal) |
| 3. Paquete "DPAK+" que realiza la baja resistencia en encendido al utilizar conectores de cobre. |
| 4. Tch = 175°C garantizada |
*Siga este enlace para obtener más información sobre el producto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1268084_2470.html
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