TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) ha lanzado un MOSFET de baja resistencia en encendido como el último agregado a su serie del paquete TO-220SIS para aplicaciones en vehículos. El nuevo producto, "TK80A04K3L", también logra una baja pérdida de corriente y garantiza la operación a 175 °C. Si bien está adaptado fundamentalmente para aplicaciones en vehículos, también se lo puede usar en unidades motoras y reguladores de conmutación.
| Polaridad | Número de parte |
Tensión de drenaje-fuente |
Corriente de drenaje |
Serie | ||||
| Nch | TK80A04K3L | 40 | 80 | U-MOS IV | ||||
| Características clave | ||
| 1. | Baja resistencia en encendido (VGS=10V) | |
| RDS(ON) = 1.9mΩ (típico) | ||
| 2. | Baja pérdida de corriente IDSS=10μA (máx.) (VDS=tensión nominal) | |
| 3. | Tch = 175°C garantizada | |
| 4. | Paquete TO-220SIS con tipo de inserción de lead | |
*Siga este enlace para obtener más información sobre el producto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1267638_2470.html
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