TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) lanzará un regulador LDO de salida individual de 200 mA fabricado con el proceso micro-CMOS recientemente desarrollado. Sus características incluyen salida de bajo ruido, relación de rechazo de murmullo alto, respuesta excelente bajo cargas de alta velocidad y baja caída.
El nuevo regulador LDO logra una salida de bajo ruido de 18 μVrms (2.5V de salida), excelente relación de rechazo de ruido de 62 dB a alta frecuencia (2.5v de salida, f = 10 kHz), respuesta excelente bajo cargas de alta velocidad de VOUT = ±65mV (IOUT = 1mA ⇔ 150mA, COUT = 1.0μF) y características de baja caída de 80mV (2.5V de salida, IOUT = 100mA).
Integración en un estuche WCSP4 ultrapequeño (0.79 mm × 0.79 mm × 0.5 mm) que garantiza la adaptación para aplicaciones que requieren acondicionamiento de alta densidad, como dispositivos móviles.
Ya están disponibles las muestras y la producción masiva está programada para comenzar en enero.
Aplicaciones
Teléfonos móviles, tabletas, reproductores portátiles de audio, cámaras digitales, video cámaras digitales y otros dispositivos móviles pequeños.
Características clave
1. Salida de bajo ruido
VNO = 20μVrms (tip.) a 3,0 V de
salida, IOUT = 10 mA, 10 Hz < f < 100 kHz
VNO
= 18 μVrms (tip.) a 2,5 V de salida, IOUT = 10 mA, 10 Hz < f
< 100 kHz
VNO = 14 μVrms (typ.) a 1,2 V de salida, IOUT
= 10 mA, 10 Hz < f < 100 kHz
2. Relación de rechazo de murmullo alto
RR = 75 dB (typ.) a 2,5 V
de salida, IOUT = 10 mA, f = 1 kHz
RR = 62 dB (typ.) a
2,5 V de salida, IOUT = 10 mA, f = 10 kHz
RR = 50 dB
(typ.) a 2,5 V de salida, IOUT = 10 mA, f = 100 kHz
3. Respuesta transitoria a carga de alta velocidad
ΔVOUT
= ±65 mV (tip.) a IOUT = 1 ⇔ 150 mA, COUT =1,0μF
4. Baja tensión de salida
VIN-VOUT = 80mV
(tip.) a 2,5 V de salida, IOUT = 100 mA
5. La tensión de salida de tipo enganche de tensión puede configurarse entre 1,2V y 3,6V en incrementos de 50 mV.
6. Exactitud de la tensión de salida: ±1,0 %
7. Circuito de protección incorporado contra sobrecorriente
8. Circuito de protección contra temperatura excesiva incorporado
9. El acondicionamiento ultrapequeño contribuye a la reducción del espacio requerido.
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Alineación |
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| Número de parte | Tensión de salida | |
| TCR2DG12 | 1,2V | |
| TCR2DG13 | 1,3V | |
| TCR2DG15 | 1,5V | |
| TCR2DG18 | 1,8V | |
| TCR2DG25 | 2,5V | |
| TCR2DG28 | 2,8V | |
| TCR2DG30 | 3,0V | |
| TCR2DG33 | 3,3V | |
| TCR2DG36 | 3,6V | |
*Siga este enlace para recibir más información sobre el producto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/linear/selection/topics/1264512_2398.html
Acerca de Toshiba
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